所有发射管都能做到相关参数
1、电压:1.4-1.45-1.5-1.55V
2、电流:10MIL:30mA、12MIL:50mA、14MIL:80mA、16MIL:120mA、40MIL:600mA、42MIL:1000mA
3、角度:15度、30度、45度、60度、80度、90度、120度
(1)3MM常用角度为:15度、30度、45度、60度,最高角度可做到90-120度,但胶体高度为无边4.1MM,常用圆头高度为5.3MM。
(2)5MM常用角度为15度、30度、45度、60度、80度、90度,最高角度可做到120度,但外形为草帽。
(3)8MM分高头和矮头:11MM高为高头,角度有15度、30度、45度、60度。8.5MM高为矮头,角度有60度,80或90度。
(4)10MM的:高度为13.65MM,角度有15度、30度、45度、60度。
(5)大功率的灯珠角度有:60度,120度,140度。
3、外形:圆头(有沿或无沿),草帽,子弹头等。
4、引脚:短脚(15-18MM)、长脚(25-28MM),正负脚长相隔1.5MM
描述;Description
L5IR4P系列发射管是采用GaAlAs技术的高功率红外发射二极管,采用透明的塑料封装。在一个相似的波长内与标准GaAs比较,GaAlAs技术的这些发射二极管达到超过100%辐射功率改善。正向电压在低电流和高脉冲电流工作条件下大致对应于标准技术。
所以这些发射二极管是理想的作为标准发射器件的高性能产品。
基本参数;Principal character
型号 Model No. | 材料 Material | 波长Wavelength λp(nm) | 颜色 Lens Color | 发射角度 Viewing Angle 2θ1/2 |
L5IR4P | GaAlAs/GaAs | 940 | Water Clear | 120 |
光电特性;Electrical Optical Characteristics at Ta= 25℃
参数 Parameter | 测试条件 Test Conditions | 符号 Symbol | 最小 Min | 典型 Typ | 最大 Max | 单位 Unit |
正向电压 Forward Voltage | IF = 50mA | VF | 1.25 | | 1.5 | V |
正向电流 Forward
Current | | If | | 50 | | mA |
反向电压 Reverse voltage | IR=10μA | VR | 5 | | | V |
反向漏电流 Reverse Current | VR=5V | IR | | | 10 | μA |
发射强度 Radiant Intensity | IF=50 mA | Ie | 1 | | 5 | mW/sr |
结电容 Junction Capacitance | VR = 0 V, f = 1 MHz, E
= 0 | Cj | | 25 | | Pf |
功率衰减系数 Temp. Coefficient of φe | IF = 50 mA | TKφe | | -0.6 | | %/K |
发射角度 Angle of Half Intensity | | 2θ1/2 | | 120 | | deg |
峰值波长 Peak Wavelength | IF = 50 mA | λp | | 940 | | nm |
光谱偏差范围 Spectral Bandwidth | IF = 50 mA | △λ | | 50 | | nm |
波段衰减系数 Temp. Coefficient of λp | IF = 50 mA | TKλp | | 0.2 | | nm/K |
上升时间 Rise Time | IF = 50 mA | tr | | 800 | | ns |
下降时间 Fall Time | IF = 50 mA | tf | | 800 | | ns |
极限参数;Absolute Maximum Ratings at Ta=25℃
参数 Parameter | 测试条件 Test Conditions | 符号Symbol | 数值 Value | 单位Unit |
正向峰值电流 Peak
Forward Current | | Ifm | 100 | mA |
正向脉冲电流 Surge
Forward Current | tp/T =
0.5, tp = 100 μs | Ifsm | 1.5 | A |
耗散功率 Power
Dissipation | | Pv | 150 | mW |
结温 Junction
Temperature | | Tj | 100 | ℃ |
工作温度范围 Operating
Temperature Range | | Tamb | -25 +80 | ℃ |
存储温度范围 Storage Temperature
Range | | Tstg | -55 +100 | ℃ |
焊接温度 Soldering
Temperature | t ≦ 5sec,
3 mm from case | Tsd | 260 | ℃ |