1. Scope:
This specification applies to InGaN/GaN 13 x 11mil UV LED chip, EP-U1311B-A3。
2. Materials：
2.1 P-contact：Conductive Layer。
2.2 P-pad：Au。
2.3 N-pad：Au。
2.4 Backside Metal:
EP-U1311B -A3：Reflective Layer (Al) with Au
3. Dimensions：
3.1 Chip size：330μm x 275um。
3.2 P-pad：φ85μm, thickness 3.5±0.35μm。
3.3 N-pad：φ85μm, thickness 3.5±0.35μm。
3.4 Chip thickness：90μm±20μm。
4. Electro-optical characteristics and specification: (Tc=25°C)