ON SEMICONDUCTOR NTMD6N02R2G - 场效应管 MOSFET N 20V
晶体管极性:ñ频道
- 电流, Id 连续:6.5A
- 电压, Vds :20V
- 在电阻RDS（上）:35mohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:900mV
- 功耗, Pd:2W
- 封装类型:SOIC
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
- 功率, Pd:2W
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:增强
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 表面安装器件:表面安装
