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VISHAY SILICONIX SI2305DS-T1-E3 场效应管 MOSFET P
3000台起批
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品牌/型号
Vishay/威世通/SI2305DS-T1-E3
沟道类型
P沟道
导电方式
增强型
品牌
Vishay/威世通
型号
SI2305DS-T1-E3
封装外形
SMDSO/表面封装
晶体管极性:P通道
电流, Id 连续:
-3.5A
电压, Vds :
-8V
在电阻RDS（上）:
52mohm
电压 @ Rds测量:
-4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:
-800mV
功耗, Pd:
1.25W
封装类型:
TO-236
针脚数:
3
功耗:
1.25W
封装类型:
TO-236
漏极电流, Id 值:
3.5A
电压 Vgs @ Rds on 测量:
-4.5V
电压, Vds 典型值:
-8V
电压, Vgs 最高:
-800mV
表面安装器件:
表面安装
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