更多
INFINEON BSP171P 场效应管 MOSFET P SOT-223
10台起批
¥
1.00
点此议价
深圳市佰昇电子有限公司
竹子林建业大厦A-2005
全部商品
查看联系方式
产品属性
图文详情
品牌推荐
品牌/型号
INFINEON/英飞凌/BSP171P E6327
沟道类型
MOSFET P 通道,金属氧化物
导电方式
增强型
品牌
INFINEON/英飞凌
型号
BSP171P E6327
封装外形
SMDSO/表面封装
场效应管 MOSFET P
SOT-223
晶体管极性:
P沟道
电流, Id 连续:
1.45A
电压, Vds :
60V
在电阻RDS(上):
400mohm
电压 @ Rds测量:
-10V
阈值电压, Vgs th
典型值:
1.5V
功耗, Pd:
1.8W
工作温度敏:
-55°C
工作温度最高:
150°C
封装类型:
SOT-223
针脚数:
4
SMD标号:
BSP171P
功率, Pd:
1.8W
功耗:
1.5W
单脉冲雪崩能量 Eas:
70mJ
外宽:
6.7mm
外部深度:
7.3mm
外部长度/高度:
1.7mm
封装类型:
SOT-223
工作温度范围:
-55°C 到 +150°C
带子宽度:
12mm
总功率, Ptot:
1.8W
晶体管数:
1
温度 @ 电流测量:
25°C
满功率温度:
25°C
漏极电流, Id
值:
1.45A
电压 Vgs @ Rds on
测量:
-10V
电压, Vds 典型值:
-60V
电压, Vgs 最高:
20V
电压变化率 dv/dt:
6kV/µs
电流, Idm 脉冲:
5.8A
电流, Idss
典型值:
0.00001µA
电流, Idss :
1µA
表面安装器件:
SMD
阈值电压, Vgs th
最低:
-1V
阈值电压, Vgs th
最高:
-2V
IRF5305PBF 场效应管 MOSFET P TO-220 55V 31A
¥面议
IRF9Z24NPBF 场效应管 MOSFET P TO-220 55V 12A
¥面议
IRFL110TRPBF - 场效应管 MOSFET N 晶体管
¥面议
IR 场效应管 MOS管 IRF630NPBF IRF9540NPBF
¥面议
IR IRFB4710PBF 场效应管 MOSFET N TO-220 100V 75A
¥面议
IR IRFP150PBF 场效应管 MOSFET N-CH 100V 41A
¥面议
电子元器件
>
场效应管
>
获取验证码
允许同品行业优质供应商联系我
您对此产品的咨询信息已成功发送给相应的供应商,请注意接听供应商电话。
对不起,您对此产品的咨询信息发送失败,请稍后重新发起咨询。
关闭
登录
|
注册
首页
|
我的马可
触屏版
电脑端
马可波罗版权所有1999-2020