产品名称：平板型IGBT CGD1100A/1700V PcS

产品关键词：● 封装和压装后的电气特性

                       ● 包含反并联快速恢复二极管

                       ● 增强型IGBT

产品参数：　 最大额定值(25℃）

                       集电极-发射极电压 VCES=1700(V)

                       栅极-发射极电压   VGES=±20(V)

                       集电极电流        IC＝1100(A)

                                                  ICP=2200(A)

                       集电极耗散功率    PC=6216(W)

                       工作结温          Tj=－20~125℃

                       存储温度          Tstg=－40~125℃

                                    注：超过最大额定值可能导致器件损坏

              电气特性（TC=125℃，不含结壳热阻Rth）

              栅极漏电流                        IGES=±5（μA）

              集电极-发射极截止电流   ICES=250（mA）

              集电极-发射极饱和电压   VCE(sat)=6(V)

              栅极-发射极阈值电压       VGE(th)=10(V)

              开通时间                            Ton=2.5μs

              关断时间                            Toff=3μs

  



















       平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。