产品名称:平板型IGBT CGF800A/1700V PcS
产品关键词:● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数: 最大额定值(25℃)
集电极-发射极电压 VGES=1700(V)
栅极-发射极电压 VCES=±20(V)
集电极电流 IC=800(A)
ICP=1600(A)
集电极耗散功率 PC=4440(W)
工作结温 Tj=-20~125℃
存储温度 Tstg=-40~125℃
注:超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性(TC=125℃,不含结壳热阻Rth)
栅极漏电流 IGES=±5(μA)
集电极-发射极截止电流 ICES=250(mA)
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=6(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=10(V)
开通时间 Ton=2.5μs
关断时间 Toff=3μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性,它的高耐破损能力以及平板型结构的特点,可以较容易地用于串联装置中,而且与传统的GTO晶闸管相比,IGBT是电压驱动方式,故而使用方便,具有更大的安全动作范围。




