FIB技术主要利用液态金属离子源作为高电流密度的离子枪，其最小离子束直径可达几个纳米。因此可在纳米水平上进行快速、准确的刻蚀纳米加工。同时，利用配置的气体注入系统（GIS）,可以对样品进行纳米尺度的金属、绝缘体沉积，并可以对金属、绝缘体材料进行选择性腐蚀，因此在对集成电路进行改性、制备纳米量子器件、纳米集成电路，如单电子量子开关、纳米场效应管，准一维纳米结构的量子输运研究，及剖析微器件的横截面、透射电镜样品的制备等半导体、介观物理研究领域，具有广泛的应用。简单综合起来，FIB主要具有以下强大功能：

（1）对微器件进行减薄、剥蚀等解剖分析，

利用高电流密度的离子枪，可对微小样品进行纵深切割、定向钻孔。因此可对微器件，尤其是微器件，如磁头、计算机芯片等进行剖析；

利用选择性腐蚀技术，选择性地腐蚀金属或绝缘体，增加器件结构的衬度，便于微器件的剖析；

对集成电路进行改性(IC modification)；

快速、高效地制备微器件的横截面的透射电镜样品，该技术是目前其它截面电镜样品制备技术所无法比拟的；

（2）纳米加工（Nano Lithography）:

利用纳米离子束进行金属、绝缘体的沉积，生成导电极片(conductive pads)，进行迹线连接 (connecting traces)，结合选择性腐蚀技术，可制备纳米器件，如单电子量子开关，纳米场效应二极管；量子点的制备；量子线的制备及其量子输运特性研究，及微机械结构(Micro- electromechanical structures, MEMS)的加工等。

ZEISS公司最新推出的新一代聚焦离子束电子显微镜AURIGA是一台高灵活性的CrossBeam工作站，它可以由客户自主选择应用目的。

独特的成像能力

·         在有局部电荷中和器的条件下，可以使用所有的标准探测器进行非导体样品的成像

·         在一个包括EsB技术的独特探测器设计中，可同时探测形貌和组分信息。

·         具有GEMINI物镜设计，可进行磁性样品的研究

先进的分析能力

·         具有局部电荷中和器，可进行非导体材料的分析

·         具有15个附属接口的多用途样品室

·         最佳的样品室几何设计，可同时安装EDS,EBSD,STEM,WDS,SIMS等附属设备

精确的处理能力

·         创新的FIB技术，具有最高级别的分辨率

·         在FE-SEM实时监控整个样品制备的过程中，具有高的分辨率

·         先进的气体处理技术，用于离子束和电子束的辅助刻蚀和沉积

客户自主选择和未来的可扩展性

·         基于一种全面的模块化的理念，AURIGATM CrossBeam?工作站可以由客户自行进行选择，以满足其今天以及未来的个性化应用。

·         从一个高性能的FE-SEM平台出发，这个系统伴随着广泛的可选的硬件和软件品种而升级，如：FIB,GIS,局部电荷中和系统和不同的探测器