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代理Cirectifir SII100N120KC1(NPT低频标准型IGBT模块

500台起批

￥256

深圳市希美科电子有限公司

中国深圳

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品牌

Cirectifir

型号

SII100N120KC1NPT低频标准型

用途

D-G双栅四极

导电沟道

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

螺丝型

材料

IGBT绝缘栅比极

相数

三相

控制方式

脉冲调频调宽式

主电路形式

全桥式

NPT技术的IGBT模块NPT IGBT Modules (None Punch Through Technology)

型号 TYPE	电气特性Electrical Characteristics										封装外形 Package Style
	IGBT					反向二极管 Inverse Diode			RthJC	内部电路Circuit
	VCES	IC25 @TC=25°C	IC80 @TC=80°C	VCEsat @25°C typ	EOFF @125°C typ.	IF @TC=80°C	VF @TC=25°C typ	tr	RthJC	内部电路Circuit
	V	A	A	V	mJ	A	V	ns	K/W
SII50N06	600	75	50	1.95	1.0	50	1.25	9	0.440	1	Fig.1
SII75N06	600	100	75	1.95	2.4	75	1.25	22	0.350	1	Fig.1
SII100N06	600	130	100	1.95	2.9	100	1.25	10	0.280	1	Fig.1
SII150N06	600	180	150	1.95	4.6	150	1.25	25	0.210	1	Fig.26
SII200N06	600	230	200	1.95	6.3	200	1.25	43	0.170	1	Fig.26
SII300N06	600	375	300	1.95	11.0	300	1.25	69	0.100	1	Fig.26
SID50N06	600	75	50	1.95	1.0	50	1.25	9	0.440	2	Fig.1
SID75N06	600	100	75	1.95	2.4	75	1.25	22	0.350	2	Fig.1
SID100N06	600	130	100	1.95	2.9	100	1.25	10	0.280	2	Fig.1
SID150N06	600	180	150	1.95	4.6	150	1.25	25	0.210	2	Fig.26
SID200N06	600	230	200	1.95	6.3	200	1.25	43	0.170	2	Fig.26
SID300N06	600	375	300	1.95	11.0	300	1.25	69	0.100	2	Fig.26
SDI50N06	600	75	50	1.95	1.0	50	1.25	9	0.440	3	Fig.1
SDI75N06	600	100	75	1.95	2.4	75	1.25	22	0.350	3	Fig.1
SDI100N06	600	130	100	1.95	2.9	100	1.25	10	0.280	3	Fig.1
SDI150N06	600	180	150	1.95	4.6	150	1.25	25	0.210	3	Fig.26
SDI200N06	600	230	200	1.95	6.3	200	1.25	43	0.170	3	Fig.26
SDI300N06	600	375	300	1.95	11.0	300	1.25	69	0.100	3	Fig.26
SII50N12	1200	78	50	2.5	5.0	50	2.30	56	0.300	1	Fig.1
SII75N12	1200	100	75	2.5	8.0	75	2.30	70	0.200	1	Fig.1
SII100N12	1200	145	100	2.5	11.0	100	2.30	80	0.180	1	Fig.1
SII100N12L	1200	150	100	2.5	12.0	100	2.30	80	0.160	1	Fig.26
SII150N12	1200	210	150	2.5	17.0	150	2.30	100	0.100	1	Fig.26
SII200N12	1200	290	200	2.5	26.0	200	2.00	80	0.090	1	Fig.26
SII300N12	1200	625	300	2.1	36.0	300	1.80	60	0.050	1	Fig.26
SII400N12	1200	800	400	2.7	60.0	400	2.20	115	0.023	1	Fig.26
SID50N12	1200	78	50	2.5	5.0	50	2.30	56	0.300	2	Fig.1
SID75N12	1200	105	75	2.5	8.0	75	2.30	70	0.200	2	Fig.1
SID100N12	1200	145	100	2.5	11.0	100	2.30	80	0.180	2	Fig.1
SID100N12L	1200	150	100	2.5	12.0	100	2.30	80	0.160	2	Fig.26
SID150N12	1200	210	150	2.5	17.0	150	2.30	100	0.100	2	Fig.26
SID200N12	1200	290	200	2.5	26.0	200	2.00	80	0.090	2	Fig.26
SID300N12	1200	625	300	2.1	36.0	300	1.80	60	0.050	2	Fig.26
SID400N12	1200	800	400	2.7	60.0	400	2.20	115	0.023	2	Fig.26
SDI50N12	1200	78	50	2.5	5.0	50	2.30	56	0.300	3	Fig.1
SDI75N12	1200	105	75	2.5	8.0	75	2.30	70	0.200	3	Fig.1
SDI100N12	1200	145	100	2.5	11.0	100	2.30	80	0.180	3	Fig.1
SDI100N12L	1200	150	100	2.5	12.0	100	2.30	80	0.160	3	Fig.26
SDI150N12	1200	210	150	2.5	17.0	150	2.30	100	0.100	3	Fig.26
SDI200N12	1200	290	200	2.5	26.0	200	2.00	80	0.090	3	Fig.26
SDI300N12	1200	625	300	2.1	36.0	300	1.80	60	0.050	3	Fig.26
SDI400N12	1200	800	400	2.7	60.0	400	2.20	115	0.023	3	Fig.26
6SI10N12P	1200	16	10	1.9	1.05	10	1.85	20	1.600	4	Fig.28
6SI15N12P	1200	25	15	1.7	1.5	15	1.80	30	1.000	4	Fig.28
6SI25N12P	1200	40	25	1.7	2.5	25	2.05	30	0.80	4	Fig.28
6SI10N12	1200	15	10	2.7	1.05	10	2.90	50	1.520	5	Fig.27
6SI15N12	1200	25	15	2.5	1.5	15	2.40	45	0.860	5	Fig.27
6SI25N12	1200	35	25	2.5	2.5	25	2.30	65	0.600	5	Fig.27
6SI40N12	1200	55	40	1.8	4.9	40	2.05	30	0.600	5	Fig.27
6SI75N12	1200	105	75	1.7	9.4	75	1.95	30	0.350	5	Fig.27

我们公司供应逆变器和变频电源 , UPS, 电镀电源，焊机用元件如下（替代Diodes/IXYS/IR, MICROSEMI, SENSTRON, TECCOR）：

*IGBT分立器件及IGBT模块：7A-600A / 600V, 1200V, 1700V, 一单元, 双单元, 多单元（最多七单元），高/低端斩波式

*MOSFET分立器件及MOSFET模块：低压大电流，最大400A.14A-200A/100V-600V, 一单元, 双单元, 多单元（最多七单元），高/低端斩波式

*肖特基（低VF/高結溫）势垒二极管分立器件及模块：5A-2X400A/15V-200V

*提供軟恢復特性超快恢復二極管及模組（8A 200V~150A 600V， 60A 1200V.....）

*提供軟恢復特性高性能高結溫超快恢復二極管及模組（8A 200V~200A 400V， 120A 1200V.....）

*超快恢复二极管分立器件及模块：5A-500A/200V-1600V ，ESAD92-02

*可控硅（晶闸管）分立器件及晶闸管模块：8A-2X800A/600V-2400V

*双向可控硅：6A-65A / 400V-1600V

*单相 / 三相桥式整流模块：6A-250A/400V-2200V

*整流二极管分立器件及模块：10A-2X800A/400V-2200V

*薄膜电容：厦门法拉全系列薄膜电容、IGBT吸收电容

0755-8251 5008 QQ:597298353

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