双增强模式MOSFET（N和P沟道）
应用
·在笔记本电脑的电源管理，
便携式和电池供电设备
系统
特点
·N沟道
20V/3A，
RDS（ON）=50MW（典型值）@ VGS= 4.5V
RDS（ON）=65MW（典型值）@ VGS= 2.5V
·P沟道
-20V/-2A，
RDS（ON）=为90mW（典型值）@ VGS=-4.5V
RDS（ON）=可达130mW（典型值）@ VGS=-2.5V
·可靠耐用的
·铅andGreenDevices
（符合RoHS标准）