东芝晶体管的硅PNP外延式（PCT的进程）
低噪声音频放大器应用
•低噪音：NF=3分贝（典型值）RG=100Ω，VCE=-6 V，IC=-100μA，
f = 1千赫
：NF=0.5分贝（典型值）RG=1kΩ的，VCE=-6 V，IC =-100μA
f = 1千赫
•高直流电流增益：HFE=200〜700
•高击穿电压：VCEO=-120V
•低脉冲噪声。低1 / f噪声
绝对最大额定值（大= 25°C）
特征符号等级单位
集电极 - 基极电压VCBO-120V
集电极 - 发射极电压VCEO-120V
发射极基极电压VEBO-5 V
集电极电流IC-100毫安
基极电流IB-20毫安
集电极耗散功率PC 300兆瓦
结温Tj125°C

存储温度范围Tstg-55〜125°C

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