原装进口三菱:高压IGBT模块 (HVIGBT)
性能特点基板:有Cu和AlSiC两种
额定电压:从1700V到6500V
额定电流:从200A到2400A
绝缘电压:从4.0kVrms到10.2kVrms
H系列:采用平板型IGBT硅片,其可靠性已得到业界公认
N系列:采用 CSTBTTM硅片,进一步降低损耗,缩小体积
N系列B型:采用 CSTBTTM硅片,封装与H系列兼容
R系列:封装尺寸与 H 系列兼容;额定电流提升到1500A;高短路鲁棒性设计;运行温度范围由-40~125°C 扩大到-50~ 150° C;最小存贮温度由-40℃扩展到-55℃。
续流二极管:软恢复特性,保证良好的EMI性能应用领域牵引和大功率变频传动
电力传输
DC斩波器装置
CM2400HC-34N |
CM2400HCB-34N |
CM400DY-50H |
CM400DY-66H |
CM400E2G-130H |
CM400E4G-130H |
CM400HB-90H |
CM400HG-66H |
CM600DY-34H |
CM600E2Y-34H |
CM600HB-90H |
CM600HG-130H |
CM600HG-90H |
CM750HG-130R |
CM800DZ-34H |
CM800DZB-34N |
CM800E2C-66H |
CM800E2Z-66H |
CM800E6C-66H |
CM800HA-34H |
CM800HA-50H |
CM800HA-66H |
CM800HB-50H |
CM800HB-66H |
CM800HC-66H |
CM800HC-90R |
CM900HB-90H |
CM900HC-90H |
CM900HG-90H |