哈尔滨特博科技有限公司大量供应批发零售各类型砷化镓衬底。
品名 | 类型 | 含税单价 | 不含税单价 |
2寸（直径50.8mm）砷化镓 | N型（掺杂Si） | 290/片 | 270/片 |
2寸（直径50.8mm）砷化镓 | P型（掺杂Zn） | 380/片 | 350/片 |
2寸（直径50.8mm）砷化镓 | 本征（不掺杂） | 440/片 | 410/片 |
下面有各类型详细参数表，有疑问请联系掌柜。 | |||
GaAs本征（不掺杂）参数表
Parameter | Guaranteed / Actual Values | UOM | |
Growth Method: | VGF |
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Conduct Type: | S-I-N |
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Dopant: | Undoped |
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Diameter: | 50.7± 0.1 | mm | |
Orientation: | (100)± 0.50 |
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OF location/length: | EJ[ 0 -1-1]± 0.50/16±1 |
| |
IF location/length: | EJ[ 0 -1 1 ]± 0.50/7±1 |
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Resistivity: | Min: 0.9E8 | Max: 1.2E8 | ?·cm |
Mobility: | Min: 5277 | Max: 5318 | cm2/v.s |
EPD: | Min: 500 | Max: 700 | / cm2 |
Thickness: | 350±20 | μm | |
Edge Rounding: | 0.25 | mmR | |
TTV/TIR: | Max: 10 | μm | |
BOW: | Max: 10 | μm | |
Warp: | Max: 10 | μm | |
Partical Count: | ＜50(size＞0.3μm,Count/wafer) |
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SurfaceFinish– front: | Polished |
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Surface Finish –back: | Polished |
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Epi-Ready: | Yes |
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GaAs N型（掺杂Si）参数表
Parameter | Guaranteed / Actual Values | UOM |
Growth Method: | VGF |
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Conduct Type: | Semi—conducting（N） |
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Dopant： | GaAs-Si |
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Diameter: | 50.7±0.1 | mm |
Orientation: | （100）2°±5°off toward（011） |
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OF location/length: | EJ[ 0 -1-1]± 0.50/16±1 | mm |
IF location/length: | EJ[ 0 -1 1 ]± 0.50/7±1 | mm |
Resistivity: | （0.8~9）x10-3 | Ohm.cm |
carrier concentration： | （0.4~4）x1018 | /cm3 |
Mobility： | 2000~3000 | /cm2v.s |
dislocation density： | ≤5000 | /cm2 |
Thickness: | 350±10 | um |
TTV: | ≤10 | um |
TIR: | ≤10 | um |
BOW: | ≤10 | um |
Warp: | ≤10 | um |
Edge Rounding: | 0.25 | Mmr |
Partical Count: | ＜50(size＞0.3μm,Count/wafer) |
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SurfaceFinish– front: | Polished |
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Surface Finish –back: | Polished |
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Epi-Ready: | Yes |
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GaAs P型（掺杂Zn）参数表
Parameter | Guaranteed / Actual Values | UOM | |
Growth Method: | VGF |
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Conduct Type: | S-C-P |
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Dopant: | Undoped |
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Dopant： | GaAs-Zn |
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Diameter: | 50.8± 0.4 | mm | |
Orientation: | (100)± 0.50 |
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OF location/length: | EJ[ 0 -1-1]± 0.50/16±1 |
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IF location/length: | EJ[ 0 -1 1 ]± 0.50/7±1 |
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Resistivity: | Min: N/A | Max:（5~7）E-3 | ?·cm |
EPD: | Max: 5000 | / cm2 | |
Thickness: | 350±25 | μm | |
Edge Rounding: | 0.25 | mmR | |
TTV/TIR: | Max: 10 | μm | |
BOW: | Max: 10 | μm | |
Warp: | Max: 10 | μm | |
Partical Count: | ＜50(size＞0.3μm,Count/wafer) |
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SurfaceFinish– front: | Polished |
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Surface Finish –back: | Polished |
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Epi-Ready: | Yes |
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提供机打发票砷化镓是由砷和镓二种元素合成并生长成的一种III-V族化合物半导体材料，是一种性能优异的电子信息功能材料。GaAs 的微波大功率器件、低噪声器件、微波毫米波单片集成电路、超高速数字集成电路等在以移动通讯、光纤通讯、卫星通信等为代表的高技术通讯领域以及广播电视、超高速计算机、自动化控制等领域都有广泛的应用，GaAs 光电子器件在家用电器、工业仪表、大屏幕显示、办公自动化设备、交通管理等方面，也有着重要应用。当然，武器装备也是GaAs 材料的主要应用领域之一，GaAs 器件及集成电路在综合电子战系统、C3I 系统、卫星通讯系统、卫星导航系统、相控阵雷达、精确制导、电子对抗、超高速**或野外用大型计算机等军事电子领域用途广泛哈尔滨特博科技有限公司长期专供实验室研究所纯度99.9999 砷化镓，化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
