产品特点
•设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+600 V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
•栅极驱动电压范围从10到20V
•欠压锁定
• 3.3V ， 5V和15V逻辑兼容
•跨导预防逻辑
•匹配的传播延迟为两个通道
•内部设置死区时间
•同相输入HIN高侧输出
•低侧输出的相位与LIN输入
描述
该IR2103 （ S）的高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器与依赖高
低侧参考输出通道。专有HVIC
和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用
单片式结构。逻辑输入
与标准CMOS或LSTTL输出兼容，
下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高
脉冲电流缓冲级，最低驱动器交叉传导。浮置沟道，可用于
驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT可在高达600伏的高侧配置。
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