主要特点：

1.  可用于最大300mm wafer及更小的晶片

2.  根据工艺要求，可配备ICP源或微波源及射频偏压在低温下去除难以剥离的光阻层，是其他同类产品无法比拟的

3.清洗刻蚀速率最高可达6um/min,损伤小

4.  设备体积小，节省空间

5.  适用于研究机构的小规模生产