我们提供生产4 英寸 SEMI SOI wafer
器件层
类型 N/P
晶向 100/110/111
电阻率 可定制
厚度 300nm - 1000nm
平整度 < 0.5um
氧化层厚度 可定制
基底层
厚度 100um-500um
TTV<3um
Paritlce <10@0.3um
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