氮化铝可用于作真空蒸发和熔炼金属的容器，特别适于作真空蒸发铝的坩埚，因为氮化铝在真空中加热蒸汽压低，即使分解，也不会 污染铝。氮化铝也可以作热电偶保护套，在空气中 800——1000 ℃铝池中连续浸泡 3000h以上也没有侵蚀破坏。在半导体工业中，用 氮化铝坩埚代替石英坩埚合成砷化稼，可以完全消除 Si对砷化稼的污染而得到高纯产品。
含有 Si，Mg O的热压Al N制品，其导热系数达0.63W/cm.K，可以用作集成电路基板。产品的热压温度为1800 ℃，压力 30 时间30min.加入 CaF 2 可以减少 Al N的摩擦系数，因此可用作潜水泵减磨零件。但添加量10%以上时，在酸碱溶液中的稳定性很高，同无添加剂的Al N制品相近。
Al N和Al2O3反应可生成单相立方氮氧尖晶石，它有很好的高温强压，1500 ℃ 时强度仍保持在 500M Pa，它的化学稳定性更高，是很好的耐火材料。
此外，氮化铝热膨胀系数小，导热性好，还有高的强度，因此可用作高温构件、热交换器等 包装：氮化铝包装于高压塑料袋中，每袋净重为 1公斤，也可按照客户的要求包装
