描述
中环半导体公司的CMPDM202PH（P沟道）是业界标准的SOT-23F封装，优化高电流能力和能源效率的增强型MOSFET。高电流，低栅极电荷和低导通电阻的组合，使这些设备的要求较高的漏电流的能源敏感的应用的理想选择。

特点
   •低RDS（ON）：
         （0.064Ω@VGS= 5.0V）P沟道
  •高电流ID：
             2.3A（P沟道）
  •低栅极电荷QGS：
             1.3nC（P沟道）

应用
  •负载/电源开关
  •电源转换器电路
  •电池供电的便携式设备
  •电机控制

好处
  •能源效率
  •9％，低于SOT-23封装外形
  •开关速度快吨：
            15.2ns（P沟道）