更多
SI4166DY-T1-GE3 用于最新尖端技术的电源和马达驱动 30V 30.5A
5000台起批
¥
1.16
点此议价
深圳市伟莱达电子有限公司
深圳市宝安区西乡桃源商务大厦B座513-514
全部商品
查看联系方式
产品属性
图文详情
品牌推荐
品牌/型号
Vishay/威世通/SI4166DY-T1-GE3
品牌
Vishay/威世通
型号
SI4166DY-T1-GE3
种类
结型JFET
沟道类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
导电方式
增强型
用途
TR/激励、驱动
封装外形
SMDSO/表面封装
材料
N-FET硅N沟道
'
製造商
:
Vishay
產品類型
:
N-Channel MOSFETs
RoHS
:
詳細資料
晶體管極性
:
N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓
:
30 V
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓
:
+/- 20 V
Id - C連續漏極電流
:
20.5 A
Rds On - 漏-源電阻
:
4.5 mOhms
配置
:
Single Quad Drain Triple Source
最高工作溫度
:
+ 150 C
Pd - 功率消耗
:
3 W
安裝風格
:
SMD/SMT
封裝/外殼
:
SOIC-8 Narrow
封裝
:
Reel
品牌
:
Vishay / Siliconix
通道模式
:
Enhancement
下降時間
:
15 ns
互導 - 最小值
:
65 S
最低工作溫度
:
- 55 C
上升時間
:
19 ns
原廠包裝數量
:
2500
標準斷開延遲時間
:
35 ns
零件號別名
:
SI4166DY-GE3
'
Central 最新产品CMPDM202PH
¥面议
Unikc最新热卖P1403EV8
¥5.00元
Unikc原装热卖PA102FMG
¥面议
SI4166DY-T1-GE3 用于最新尖端技术的电源和马达驱动 30V 30.5A
¥1.16元
IR原装进口现货IRF7103TRPBF
¥1.23元
美国中央半导体CENTRAL的超小型MOS管CEDM7001VL原装进口
¥面议
电子元器件
>
场效应管
>
获取验证码
允许同品行业优质供应商联系我
您对此产品的咨询信息已成功发送给相应的供应商,请注意接听供应商电话。
对不起,您对此产品的咨询信息发送失败,请稍后重新发起咨询。
关闭
登录
|
注册
首页
|
我的马可
触屏版
电脑端
马可波罗版权所有1999-2020