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N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
N沟道增强型MOS场效应管
■MAXIMUMRATINGS額定值
Characteristic/特性參數 | Symbol/符號 | Max/值 | Unit/單位 |
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓 | BVDSS | 30 | V |
Gate- Source Voltage
栅極-源極電壓 | VGS | +-12 | V |
Drain Current (continuous)
漏極電流-連續 | ID | 4.8 | A |
Drain Current (pulsed)
漏極電流-脉冲 | IDM | 16 | A |
Total Device Dissipation
總耗散功率
TA=25℃環境溫度爲25℃ | PD | 1380 | mW |
| Junction 結溫 | TJ | 150 | ℃ |
| Storage Temperature 儲存溫度 | Tstg | -55 to+150 | ℃ |
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