006 多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法
[摘要] 本技术提供多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)的多晶硅膜的形成方法。本技术多晶硅膜的形成方法是在利用掩膜通过激光照射使蒸镀在玻璃基板上的非晶硅膜结晶形成多晶硅膜的多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法，其特征在于，在上述方法中，所述非晶硅膜的结晶化采用使玻璃基板以

016 基于横向诱导晶化多晶硅薄膜的薄膜晶体管的制备方法
[摘要] 本技术提供一种基于横向诱导晶化多晶硅薄膜的薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成非晶硅层，然后形成氧化物层；在氧化物层上刻蚀出凹槽，以出非晶硅层；在的非晶硅层上形成镍硅氧化物薄膜，其厚度为在惰性或保护气体环境、590℃下退1小时；晶化完成后，去除残余的镍硅氧化物和氧化物层，并通过光刻形成有源岛；沉积100nm的氧化物层；采用脉冲激光照射样品表面；最后以栅绝缘层为10

010 使用固体激光器退的多晶硅薄膜制备半导体器件的方法
[摘要] 非晶硅经过金属诱导横向晶化后可形成器件级多晶硅。本技术所讲述的是使用固体激光退的金属锈导晶化多晶硅薄膜(包括纵向的和横向的晶化方向)制备半导体器件的技术。金属诱导多晶硅薄膜是引入金属镍的非晶硅薄膜经炉管退而成。为提高该种多晶硅薄膜的质量，使用固体激光对上述多晶硅薄膜进行退处理用来降低薄膜结构缺陷和金属镍元素对薄膜性质的影响，但是退过程中，不改变金属诱导多晶硅的主体晶粒结构。器件中的搀杂活化同样采用固体激光。与准分子激光器相比，固体激光器相对便宜而且操作简单，并适合于工业化生产。该种多晶硅材料具有广泛的应用领域，如传感器，电子器件，平板显示器和三维电路

002 制备大面积多晶硅方法
[摘要] 本技术涉及一种利用真空紫外灯照射制备大面积多晶硅的方法，其特征是将载带有非晶硅薄膜的衬底，置于真空或不活泼气氛环境中加热，并接受真空紫外灯辐射光照射，使其晶化转化成多晶硅。较现有激光晶化法具有：灯光照射面积大，速率快、晶化转化时间短，例如4英寸直径面积的非晶

004 多晶硅膜的形成方法
[摘要] 本技术提供一种多晶硅(poly-Si)膜的形成方法，本技术的多晶硅膜形成方法是一种通过激光照射使非晶硅(a-Si)膜结晶化以形成多晶硅膜的方法，其包括以下步骤：在玻璃基板上依次蒸镀隔离膜及非晶硅膜；在上述玻璃基板的后面蒸镀具有激光反射功能的金属膜；从上述非晶硅膜的前面照射激光，同时使由上述金属膜反射的激光被该非晶硅膜再吸收，由此使该非晶硅膜二次结晶。本技术的特征在于使非晶硅膜二

007 一种制备多晶硅的方法
003 多晶硅薄膜的制造方法
014 一种多晶硅薄膜太阳能电池
011 一种用晶核预控制激光晶化法制备多晶硅薄膜材料的方法
001 多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
009 激光薄膜多晶硅退系统
015 一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法
013 多晶硅图案形成方法、多层交叉点电阻存储器及制造方法
012 制备多晶硅的方法
008 多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶体管的制造方法
005 多晶硅膜的形成方法

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