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半导体扩散炉 氧化扩散炉 青岛晨立电子 cl
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888
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青岛晨立电子有限公司
中国 青岛
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产品属性
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品牌
晨立
型号
CL
半导体材料
其他
安装方式
其他
功率特性
大功率
频率特性
低频
封装方式
厚膜封装
功耗
1
正向电压降
1V
最大反向工作电压
1V
额定整流电流
1A
结温
1℃
炉管数
1-4管
工艺管口径
90-360mm
主要技术指标:
炉管数:1~4管
配工艺管口径:Φ90~360 mm (3~12英寸)
恒温区长度: 760~1000 mm±1.0℃ (300~800℃) 760~1000 mm±0.5℃(800~1280℃)
单点稳定性: ±1.0℃/24h (300~800℃) ±0.5℃/24h (800~1280℃)
气源路数: ≤7路
气体控制: 浮子/质量流量计
悬臂舟参数: 速度: 20~1000 mm/min 行程:2000 mm 定位精度:±1 mm 载荷:17 Kg
超净工作台: 净化等级:100级(万级厂房)
噪音: ≤62dB(A)
振动: ≤3μm
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