型号	电压	容量	外形尺寸（mm）			重量	内阻	放电电流	端子形式
	（V）	(C10)	长	宽	高	（kg）	（mΩ）	(5s)A
12LPA20	12	20	181.5	77	167.5	5.75	15	300	G
12LPA24	12	24	166.5	175	125	8.1	14	360	G
12LPA30	12	30	166.5	175	125	8.8	13	425	G
12LPA40	12	39.5	197	165	170	13.2	10	456	C
12LPA40H	12	40	255	97	203	13.2	9	480	C
12LPA45	12	45	197	165	170	14.5	9	540	C
12LPA50	12	50	257	132	200	16	8	600	C
12LPA65	12	65	348	167	178	21	7.3	780	C
12LPA75	12	75	259	168	214	23	6.6	900	C
12LPA90	12	90	306	168	230	30	5	1080	C
12LPA100A	12	100	330	173	220	31	4.9	1200	D
12LPA100B	12	100	341.5	175	213	32	4.5	1200	D
12LPA120	12	120	410	177	225	37.6	4	1300	D
12LPA150	12	150	485	170	240	48.2	3.5	1500	D
12LPA180	12	180	530	209	220	52.8	2.9	1800	D
12LPA200	12	200	522	240	224	64	2.7	2000	D
12LPA230	12	230	522	240	224	66	2.6	2250	D
12LPA250	12	250	522	268	226	78	2.5	2500	D
6LPA100	6	100	195	170	213	16.5	5	1200	D
6LPA150	6	150	260	180	253	23	3	1800	D
6LPA200	6	200	322	178	234	32.5	1.4	2000	D
12LPA75F	12	75	564	114	187	26	4.9	910	D
12LPA100F	12	100	394	110	285	34.5	4.1	1250	D
12LPA130F	12	130	551	110	287	40.5	3.1	1400	D
12LPA150F	12	150	551	110	287	46	2.9	1550	D
12LPA180F	12	180	560	126	280	54	2.7	1850	D

行业信息
NI宣布推出四款高电压非同步降压控制器     美国国家半导体公司 宣布推出四款全新的高电压非同步降压控制器，其完备的功能特性主要包括：适用于极高的输入电压，可以提供卓越的脉冲宽度调制(PWM)控制，而且还可减少电磁干扰（EMI）。

    这几款高度集成且操作简单的降压控制器可以在高输入电压下，产生功率灵敏的低电压电路，最适用于电信、网络系统及工业基建设备。新推出的这几款控制器属于PowerWise® 高能源效率产品，当利用高供电电压驱动低电压负载时，效率可高达85%。

    LM5085、LM25085、LM5088以及LM25088等四款降压控制器除了适用于高达75V的输入电压以外，还可将输出电压调低至1.2V，并输出5A以上的负载电流。此外，这四款控制器都只需利用一个电阻便可设定开关频率(最高可达1MHz)，使系统设计工程师可以因方案大小及效率要求将系统设计优化。LM5085及LM5088两款芯片适用于高达75V的输入电压，而LM25085及LM25088两款芯片则更适用于高达42V的输入电压。

美国国家半导体全新高电压非同步降压控制器的技术规格及特色

    采用16引脚TSSOP封装的LM5088及LM25088控制器不但功能完备，而且噪声极低，最适用于高电压的降压系统。这两款N沟道MOSFET控制器采用仿电流模式(ECM)控制的PWM控制拓扑结构，可将极高的输入电压调低至1.2V，然后将输出电压稳定在这个低水平。此外，这两款控制器设有独特的频率抖动功能，确保这一频率的变化不会超出其额定值的5%，从而简化电源供应的设计，并将典型应用的电磁干扰最高振幅减少10dB或更多。由于这两款芯片也可与外置时钟同步，因此可以进一步抑制系统的电磁干扰。

    LM5088及LM25088芯片适用于设有多条供电干线的电源供应系统，操作时则作为从属器支持外置的主电源供应器，确保每次开关电源时每一供电干线都可互相跟踪。此外，这两款芯片还有其他保护功能，其中包括可编程的周期限流值(以免出现瞬态过载)，以及可减低功耗的打嗝模式(针对负载持续出现故障的保护功能)。

    LM5085及LM25085属于小型的P沟道MOSFET控制器，采用8引脚的迷你型SOIC及LLP® 封装，可以支持多种不同的高电压降压系统。由于这两款芯片采用固定导通时间(COT)的控制方法，因此负载瞬态响应极快，而且无需提供环路补偿，令外置元件可以减至最少，有助于简化电路设计。此外，无论采用什么线路及负载，内置的输入前馈电路都可确保开关频率几乎恒定不变，以便轻易滤除电磁干扰。由于这两款芯片都内置P沟道MOSFET驱动器，因此可进一步减少外置元件数目，而且还可将操作时的占空比提高至100%，即使输入电压稍微高于输出电压，也能确保输出电压的稳定。

美国国家半导体的电源管理产品

    多功能便携式电子产品以至采用交流电的较大型设备都要面对体积及能耗同样受到严格限制的问题，为此，美国国家半导体一直致力为这些应用提供各种设计方案，以解决电源管理系统的设计问题。无论是设计电源供应系统的新手还是电源管理方面的专家都可充分利用美国国家半导体的产品、技术经验及设计工具，例如，他们可以利用该公司开发的、较为复杂的电源供应系统，设计符合环保标准的电子产品，并且可以在最短的时间内将产品推出市场。美国国家半导体提供多种不同的高性能芯片产品，其中包括开关稳压器，例如该公司的旗舰产品 SIMPLE SWITCHER® 系列，以及特殊应用产品如白光发光二极管驱动器和PoE控制器。

行业信息
法国路盛后备电源蓄电池12V90AH
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