4英寸单面抛光硅片 

生长方式/Growth Method

CZ (直拉法)

掺杂类型/Dopant

N/P

直径/Diameter

100±0.3mm

晶向/Orientation

\\

电阻率/Resistivity(Ω.cm)

0.001-30,000Ω.cm

厚度/Thickness

150-600±15μm

表面处理方式/Surface Finish

As-cut, lapped, etched, polished or Thermal Oxidation SiOx (切片，研磨，蚀刻，抛光或热氧化SiOx)

表中概括了常规产品参数，对产品有更特殊的要求可沟通。