深圳众诚达应用材料科技有限公司生产销售磁控溅射用的靶材。中频磁控溅射对靶和磁场的设计以及工作气压要求很高，中频磁控溅射是直流磁控溅射沉积速率的2到3倍。中频磁控溅射是两个靶工作，制备化合物膜层，由于其离化率低很难找到一个最佳的中毒点，对工作气体的流量控制要求很严格。若控制不好则很难制备均匀和结合力好的膜层。再就是磁场的设计主要是磁场分布的均匀性这样既可以提高靶材的利用率，另外对于最佳中毒点工作时的稳定性也有很大提高  磁控溅射的离子能量和绕射性都远低于多弧靶面，与工件的距离是很重要的，太近离子对工件的轰击可以损坏膜层，太远则偏离了最佳溅射距离制备的膜层结合力很差。

深圳众诚达应用材料科技有限公司生产销售磁控溅射用的靶材。低压气体中显示辉光的气体放电现象。在置有板状电极的玻璃管内充入低压（约几毫米汞柱）气体或蒸气，当两极间电压较高（约1000伏）时，稀薄气体中的残余正离子在电场中加速，有足够的动能轰击阴极，产生二次电子，经簇射过程产生更多的带电粒子，使气体导电。辉光放电的特征是电流强度较小（约几毫安），温度不高，故电管内有特殊的亮区和暗区，呈现瑰丽的发光现象。

辉光放电时，在放电管两极电场的作用下，电子和正离子分别向阳极、阴极运动，并堆积在两极附近形成空间电荷区。因正离子的漂移速度远小于电子，故正离子空间电荷区的电荷密度比电子空间电荷区大得多，使得整个极间电压几乎全部集中在阴极附近的狭窄区域内。这是辉光放电的显著特征，而且在正常辉光放电时，两极间电压不随电流变化。

在阴极附近，二次电子发射产生的电子在较短距离内尚未得到足够的能使气体分子电离或激发的动能，所以紧接阴极的区域不发光。而在阴极辉区，电子已获得足够的能量碰撞气体分子，使之电离或激发发光。其余暗区和辉区的形成也主要取决于电子到达该区的动能以及气体的压强（电子与气体分子的非弹性碰撞会失去动能）。

辉光放电的主要应用是利用其发光效应（如霓虹灯、日光灯）以及正常辉光放电的稳压效应（如氖稳压管）。