产品介绍：BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统、反应离子刻蚀（RIE）及等离子体增强化学气相沉积 （PEVCD）系统
用于反应离子刻蚀（RIE）及等离子体增强化学气相沉积
（PEVCD）的等离子处理系统。
BM8-II是一款定义反应离子刻蚀（RIE）及等离子体增强化学气相沉积 （PEVCD）等离子处理新概念的等离子处理系统。
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统基于模块化设计制造，采用一款通用的真空处理舱及机柜。等离子处理系统采用平板式电极、反应离子刻蚀（RIE）电极及等离子体增强化学气相沉积 （PEVCD）电极模块化设计理念，方便整体系统的组装及配置。
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统带给用户方便操作，提供多种等离子处理工艺、方便维护及性价比高的反应离子刻蚀（RIE）/沉积等离子处理系统，比业内其它反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统更具竞争力。
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统-主要性能简介
等离子工艺处理的研发需要多功能且可靠的等离子处理系统。为了满足等离子研究日新月异的要求，用户选购的系统设备满足最大范围的等离子工艺参数需要，工艺验证需要极其高的可重复性，必须方便改造用于新的等离子工艺需要。我们相信BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统系列干法工艺等离子系统满足这些非常苛刻的要求。BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统是一款用于研究，工艺开发及其小批量生产的等离子系统工具，用于最大八英寸基片的精确等离子刻蚀及沉积。BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统可以在多片或单片处理模式下操作。
在设计BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统之初，主导指示就是创造一款融合高质量、可靠、重复性及其用于生产系统的工艺控制能力为一体的等离子系统；同时极大的降低主机成本、维护成本及占地面积小等要求。
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统具有独特的机体结构和电极设计，方便安装在层流模块中或是超净间。BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统的建造采用高质量认可的部件、模块化装配、多功能真空舱体及其电极设计、结构紧凑、自动化及业内认可工艺程序使得BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统成为工艺工程师首选干法等离子处理设备。
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统-主要性能介绍
一体式真空舱体构造
原位电极间距设计（PEVCD版）
可更换工艺气体喷头
业内认可的工艺程序
高质量业内认可的主要部件
终点探测监测（Endpoint detection选配）
多种电极配置
自动射频（RF）匹配器
下游压力控制（Downstream pressure control选配）
电脑控制，基于Windows编程
多款真空泵浦选配：机械泵、机械泵/风机，涡轮增压泵浦
单真空舱及双真空舱结构
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统-应用
基于系统建造的高质量处理模块，BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统满足广泛的等离子处理工艺条件，无论是复杂的亚微米级反应离子刻蚀 （RIE）还是高质等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）薄膜的沉积。以下是我们，BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统的典型工艺处理应用，基与众多客户群的紧密协作，我们开发出业内认可的工艺程序，保证系统满足用户所需。用于生产制造的系统设备均采用最高质量的部件，保证，BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统提供最大可能的正常运行时间、 可靠性、重复性及耐用性。
故障分析应用（Failure analysis）
材料改性（Material modification）
粘合促进等离子descum
表面处理（Surface treatment）
各向异性各项同性及刻蚀（Anisotropic and isotropic etching）
金属刻蚀（Metal etching）
Si02（二氧化硅）, Si3N4 （氧化硅）及 SiOxNy（氮氧化矽）薄膜沉积
II-V 刻蚀应用（III-V etching）
沟槽刻蚀（Trench etching）
钝化层刻蚀（Passivation etching）
聚酰亚胺刻蚀（Polyimide etching ）
亚纳米级刻蚀（Submicron etching）
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统规格
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统的广泛使用得益于其高性价比，多功能设计模块，提供其他同类反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统没有的工艺优势。这些包括层流安装占地面积小，多款电极配置，及其最大可满足直径8英寸（203毫米）基片处理等。
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统基本模块
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统基本部件包括一款基于Windows的PC控制器及其菜单存储、质量流量控制的两路通道控制（最大可扩展至六通道）、温度补偿式电容压力计用于测量工艺真空度、100毫米真空通道用于最大工艺气体电导、KF或ISO标准管件便于维护；及其它工艺及服务特性。工艺气体导管未不锈钢操作，配备VCE连接件。
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统-真空处理舱
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统的真空处理舱采用整块铝合金建造成一体式设计。反应离子刻蚀（RIE）、等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）及平板电极系统均采用同样的真空处理舱设计。真空处理舱上部包括一个电极，并且具有原位电极可调间距；真空舱下部包括基片电极，真空泵浦接口及气体必要的真空阀及其真空监控设备。自动升降台抬举真空舱上部便于接近底部电极。
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统-电极配置
反应离子刻蚀（RIE）系列电极特别为达到低真空范围的最佳等离子性能设计。上部的不锈钢电极包括喷头式工艺气体供应系统。不锈钢材质底部电极通过可选配冷却循环槽来控制温度。反应离子刻蚀（RIE）阳极采用暗区屏障设计，使等离子在两块电极之间产生。等离子体增强化学气相沉积（（PECVD ）电极采用类似的设计，但是铝制底部基片电极最大可耐400℃高温，而上部电极（通电电极）是采用水冷却。铝制电极具有气体感应端口，便于沉积工艺后的快速冷却。对于（等离子体增强化学气相沉积（PECVD ）应用，上部电极的间距可以在25.40至89毫米之间调节。
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统-等离子电源
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统的电源可匹配广泛的功率及其等离子电源频率。所有的电源采用固态、风冷式。电源功率从300至1250瓦特均有，射频频率从40KHz（中频）至2.45GHz（微波）；系统标配为13.56MHz，600瓦特射频电源。可选配自动或手动匹配器。
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统-工艺处理真空泵浦
根据用户的工艺需要，BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统配备机械泵、机械泵及涡轮分子泵，或是带鲁氏鼓风机的机械泵。也可根据所需真空处理级别配备不同尺寸大小的真空泵浦。
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统-控制器
控制器采用电脑控制整个系统。基于Windows的控制软件采用多屏幕显示系统设备控制、数据记录、称呼设定及存储，系统连锁应需配备。
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统-选配
为了增强BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统的工艺处理能力，BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统提供广泛的工艺处理选项，包括终点检测、水冷器（用于冷却电极）、油雾分离器及吹扫系统、下周压力控制、硬质阳极氧化真空舱。工艺废气处理系统也可提供。应离子刻蚀（RIE）/等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）任意结合的双真空处理舱可以配置。反应离子刻蚀（RIE）/等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）组合配置具有明显的多功能性，其优势在于避免不同沉积工艺的交叉污染。
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统尺寸
单真空处理舱 Dual双真空处理舱
宽 91厘米 104厘米
深 81厘米 114厘米
机柜高度 91厘米 91厘米
整机高度 129厘米 129厘米
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统重量
70~120公斤. (取决于具体系统配置).
BM8-II反应离子刻蚀（RIE）/沉积（PEVCD）等离子处理系统安装条件
等离子系统主机: 220VAC/1/50Hz, 7A
真空泵浦系统：220VAC/1/50Hz, 5A
电极冷却水源：20℃ ±2℃
真空阀驱动气源：0.88MPa
氮气: 0.1~0.14MPa （用于真空处理舱吹扫）
气源: 等离子处理工艺气体, VCR 管件
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