产品介绍：感应耦合等离子（ICP）刻蚀及沉积、深反应离子刻蚀（DRIE）及低温等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）

BM8-III 感应耦合等离子（ICP）刻蚀及沉积系统

高性能深反应离子刻蚀（DRIE）及低温等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）等离子处理系统

BM8-III感应耦合等离子（ICP）处理系统是一款全新定义深反应离子刻蚀（DRIE）及低温低损伤 等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）等离子处理新概念的等离子处理系统。
        该感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统基于模块化设计制造，采用一款通用的真空处理舱及机柜。等离子处理系统采用感应耦合等离子（ICP）电极及底部沉积电极模块化设计理念，方便整体感应耦合等离子（ICP）刻蚀及沉积系统的组装及配置。

该感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统带给用户方便操作，提供多种等离子处理工艺、方便维护及性价比高的系统比业内其它感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统更具竞争力。

感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统主要性能简介

等离子工艺处理的研发需要多功能且可靠的等离子处理设备。为了满足等离子研究日新月异的要求，用户选购的系统设备满足最大范围的等离子工艺参数需要、工艺验证需要极其高的可重复性、必须方便改造用于新的等离子工艺需要。我们相信BM8-III感应耦合等离子（ICP）蚀刻/沉积等离子系统满足这些非常苛刻的要求。

BM8-III是一款用于研究、工艺开发及其小批量生产的感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统工具，用于最大八英寸（203mm）基片的精密等离子刻蚀及沉积。该感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统也可以容纳处理多块晶圆片。

在设计BM8-III感应耦合等离子（ICP）蚀刻/沉积等离子系统之初，主导指示就是创造一款融合高质量、可靠、重复性及其用于生产系统的工艺控制能力为一体的等离子系统；同时极大的降低主机成本、维护成本及占地面积小等要求。

BM8-III感应耦合等离子（ICP）处理系统具有独特的机体结构和电极设计，方便安装在层流模块中或是超净间。感应耦合等离子（ICP）处理系统的建造采用高质量认可的部件、模块化装配、多功能真空舱体及其电极设计、结构紧凑、自动化及业内认可工艺程序使得BM8-III感应耦合等离子（ICP）处理系统成为工艺工程师首选干法设备。

感应耦合等离子（ICP）处理系统特性

• 一体式真空舱体构造

• 1000W@13.56MHz，射频感应耦合等离子（ICP）电源

• 600W@13.56 MHz 射频 偏压电源

• Auto RF matching 自动射频匹配器

• 下游压力控制

• 基于Windows操作系统软件的电脑控制

• 多款真空泵浦系统选配：机械泵及涡轮增压泵浦用于蚀刻；机械泵浦配备罗茨风机用于沉积；

• 业内认可的部件

• 认证的工艺程序

• 终点探测检测（选配）  

   

  感应耦合等离子（ICP）处理系统应用

• 深反应离子刻蚀（DRIE）

• 低损伤高速蚀刻速率

• 亚微米级蚀刻

• SiO2 及 Si3N4的低温、低损伤等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）

• 聚酰亚胺蚀刻、钝化层蚀刻（Polyimide etching 、Passivation etching）

• 碳纳米管沉积

   

  感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统应用

  基于感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积系统建造的高质量处理模块，BM8-III满足广泛的等离子处理工艺条件，无论是复杂的亚微米级反应离子刻蚀（RIE）还是低温下的高质等离子体增强化学气相沉积PEVCD薄膜的沉积。
  
  

  基与众多客户群的紧密协作，我们开发出业内认可的工艺程序，保证系统满足用户所需。用于生产制造的系统设备均采用最高质量的部件，保证我们的系统提供最大可能的正常运行时间、 可靠性、重复性及耐用性。

   

  感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统技术规格

  BM8-III感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统的广泛使用得益于其高性价比、多功能设计模块、提供其他同类感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统没有的工艺优势。这些包括层流安装、安装占地面积小，多款电极配置，及其最大可满足8英寸基片处理等。

   

  感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统基本模块

  BM8-III感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统的基本部件包括一款基于Windows的PC控制器及其菜单存储、数码质量流量控制的四路通道控制（最大可扩展至六通道）、温度补偿式电容压力计用于测量工艺真空度、100毫米真空通道用于最大工艺气体电导、KF或ISO标准管件便于维护；及其它工艺及服务特性。工艺气体导管未不锈钢操作，配备VCE连接件。

   

  感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统真空处理舱

  BM8-III感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统的真空处理舱采用整块阳极氧化铝合金建造成一体式设计。感应耦合等离子（ICP）刻蚀、等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）系统均采用同样的真空处理舱设计。真空处理舱上部部包括一个感应耦合等离子（ICP）线圈及陶瓷窗；真空舱下部包括基片电极，真空泵浦接口及气体必要的真空阀及其真空监控设备。自动升降台抬举真空舱上部便于接近底部电极。

   

  感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统电极配置

  感应耦合等离子（ICP）线圈及陶瓷窗同样用于感应耦合等离子（ICP）蚀刻机沉积系统之中。感应耦合等离子（ICP）蚀刻电极特别为低真空范围的最佳等离子性能设计。不锈钢材质底部电极通过可选配冷却循环器来控制温度。感应耦合等离子（ICP）线圈阳极采用暗区屏障设计，使等离子在两块电极之间产生。感应耦合等离子（ ICP）及等离子体增强化学气相沉积（ PECVD） 底部电极采用类似的设计，电极最大可耐400℃高温。
  
  

  感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统电源

  1000W@13.56MHz射频电源给电感应耦合等离子（ICP）线圈，在低等离子电位下产生等离子密度高达5 x 1011 eV/cm3（氩气等离子），而第二套600W@13.56MHz 射频电源给电基片电极产生射频偏压。所有的电源采用固态、风冷式，配备自动匹配器。这样离子能量及离子密度可以分别控制。感应耦合等离子（ICP）线圈位于真空舱外部，由陶瓷窗隔离；感应耦合等离子（ICP）线圈处于大气压下，而非等离子产生环境中。
  
  

  感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统工艺处理真空泵浦

  根据用户的工艺需要，BM8-III感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统配备机械泵、机械泵及涡轮分子泵，或是带鲁氏鼓风机的机械泵。也可根据所需真空处理级别配备不同尺寸大小的真空泵浦。

  感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统压力控制

  下游压力控制提供了更加精密的工艺控制。闭环式压力控制系统集成在真空处理舱和工艺处理真空泵浦之间。该控制系统包括一套100mm伺服电磁阀及压力控制器与位于真空处理舱内的电容压力计相连接；提供了工艺压力控制的完全自动化控制。

  感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统控制器

  控制器采用电脑控制整个系统。基于Windows的控制软件采用多屏幕显示系统设备控制、数据记录、称呼设定及存储，系统连锁应需配备。

   

  感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统可在自动或手动模式下运行。

  感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统选配件

  为了增强系统的工艺处理能力，BM8-III感应耦合等离子（ICP）系统提供广泛的工艺处理选项，包括终点检测、水冷器（用于冷却电极）、油雾分离器及吹扫系统、下周压力控制、硬质阳极氧化真空舱。工艺废气处理系统也可提供。
  
  

  感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统外观尺寸

  宽: 118cm

  深: 95cm

  机柜高度:  91cm

  整机高度: 137cm

  重量: 约227公斤

  感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统安装条件

  感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统主机 220V, 50/60Hz, 20A

  感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统真空泵浦: 220V, 60Hz, 10 Amps (仅限机械真空泵浦) 220V, 50Hz, 5 Amps

  冷却水:用于电极冷却5.5L/min (20℃)

  大气: 用于电磁阀控制 (0.55MPa)

  氮气：N2: 0.1~0.14MPa （用于真空处理舱吹扫）

  气源: 等离子处理工艺气体, VCR 管件

   

   

  如果您对TUNGROMA感应耦合等离子（ICP）刻蚀及等离子沉积处理系统感兴趣，请联系我们索取更详尽资料！

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