Sputterglow等离子溅射沉积系统Plasma sputtering system

Sputterglow 等离子溅射沉积系统

TUNGROMA为您推荐的SputterGlow系统适用于：薄膜，溅镀，PVD，薄膜沉积，真空镀膜，金属或介电质薄膜沉积等。SputterGlow是一个灵活的溅射沉积系统，可用来处理200mm晶圆片，156mm×156mm毫米太阳能电池或更小的晶片SputterGlow最多可以有三个过程站（每站可配置加热，溅射沉积或溅射刻蚀）。

SputterGlow最初是为在光伏电池上沉降Si3N4减反射涂层，应用于在光电材料上镀钝化膜/减反射膜。光伏研究人员发现SputterGlow在此的应用完美的替代等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。因为SputterGlow不需要用硅烷（SiH4）氮化沉降。许多研究者认为使用溅射薄膜处理最终的钝化/减反射光涂层有较强的优势，可以制得高效率的光伏电池。

产品特点

• 反应溅射沉积Si3N4或其他薄膜，沉积介电质或金属

• 在实验室安装方便，避免了硅烷气体等危险气体的使用

• 可以安装三个靶-灵活的镀不同的薄膜

• 直径200mm晶片（或更小）或156mm×156mm太阳能电池

• 专有的光加热方式——基片不旋转

• 650W 红外灯-允许工艺在200℃进行

• 1200W RF(13.56MHz)发生器

• 自动调谐

• 涡轮增压机和后部真空泵

• 水冷磁控溅射

• 机械手传动基片

• 电脑或手动控制

• 4个MFC和多种气体混合器

   

  选配

• 加热器—最大400℃

• 基片偏压—提高粘度和薄膜结构

• RGA--腔体残余气体的监测

• 循环靶冷却

• 大涡轮增压机和泵

• 额外的MFS

• 观察窗口

• 腔体：34”直径×11”高

   

  灵活性

  有三个工作腔站，满足不同的工艺。单独的工作站可以用于加热，溅射或刻蚀。用于科研或小规模生产需要。

   

  专有设计

  专有的平面磁控管设计产生等离子。此设计延长了溅射靶存在时间，提高了沉积的均匀性，提高溅射速率，降低基片的温度。

  根据您薄膜形态控制的需要，可进行偏压电极设计。您的工艺需要，也可进行冷却溅射平台选择。运行压力和气体流量灵活可控。

  电源

  SputterGlow可以配置RF，DC 或 脉冲DC电源。用于沉积多种材料，介电材料，半导体，金属和磁性材料。 脉冲DC可以替代RF电源，进而可以取消调谐器。一个DC电源专注溅射金属或磁性材料。

   

  基片的移动和机器控制

  例：在太阳能电池上镀Si3N4的典型移动和工艺：

1. 在1#工作腔基片安在装载台上。

2. 基片装载台和基片通过内置的机械臂移动到2#工作腔（加热腔）

3. 基片达到预定的设定温度，基片装载台和基片移动到3#工作腔（溅射腔）。

4. 溅射结束，机械臂把基片装载台和基片移动到1#工作腔

5. 系统恢复大气压，基片手动取回

    

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