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JEDEC Standard
DDR Speed Grade : 400Mbps
Unbuffered DIMM : 184-pin
Memory Organization : x8 TSOP II DRAM chip
DDR DRAM interface : SSTL_25
CAS latency : 3-3-3
Bandwidth : 3200MB/s
VDD voltage : 2.6+-0.1V
VDDQ voltage : 2.6+-0.1V
Standard OP Temp.: 0℃~+70℃
Serial presence detect with EEPROM.
PCB height : 1.18 inch
RoHS Compliant
Application : Desktop
简介

DDR2是新一代的DDR内存革新技术。DDR2内存的速度更快、数据带宽更大、耗电更少、散热性能更高。DDR2内存芯片使用球型阵列封装(Fine-pitch BGA，FBGA)，加强了电气与热感应特性。此外，DDR2内存芯片也将整合内存信号终端电阻(On-Die Termination，ODT)，以降低高速传输时的内存信号反射，进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的最高容量可达到4 G，可显著提升内存模组的容量。

此为DDR-400 CL3 ECC Unbuffered内存模组。该模组密度从256MB到1GB，由32/64MX8位TSOP II封装的DDR-400同步DRAM组成，用于安装在180脚侧边卡连接器插槽中。