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JEDEC Standard
DDR3 Speed Grade : 1066Mbps
Unbuffered DIMM : 240-pin
Memory Organization : x8 FBGA DRAM chip
DDR3 DRAM interface : SSTL_15
CAS latency : 7-7-7
Bandwidth : 8500MB/s
VDD voltage : 1.5+-0.075V
VDDQ voltage : 1.5+-0.075V
Standard OP Temp.: 0℃~+85℃
Serial presence detect with EEPROM
PCB height : 1.18 inch
RoHS Compliant
Application : Workstation/Server
 简介

新一代DRAM简介：DDR3

与DDR2相比，新一代DDR3具有更多优点。首先，它采用的是8位预取设计，计算速度达到800-1600MHz，是DDR2的两倍，后者采用的是4位预取设计，计算速度为400-800MHz。其次，DDR3的电压控制在1.5V，较DDR2的1.8V更为省电。第三，DDR3采用自动预取(automatic self-refresh，ASR)设计，能够在确保数据传输可靠性的同时，减少更新频率和降低温度。与DDR3-800、DDR3-1066和DDR3-1333以及DDR2-800相比，DDR3的平均耗电分别降低了25%、29%和40%。