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1、一种水相合成禁带可调的Cu-In-X三元纳米颗粒的方法
[简介] 本技术涉及一种水相合成禁带可调的Cu-In-XX＝S或Se三元纳米颗粒的方法，属于纳米材料技术领域。步骤包括1将铜盐、铟盐以及保护剂加入至缓冲液搅拌；2向上述混合液注入含还原性硒或硫的化合物水溶液，继续搅拌，然后

2、一种水相合成禁带可调的Cu-In-X三元纳米颗粒的方法
[简介] 本技术一种禁带宽度可调纳米黄铜矿的合成方法，特征是以二水化铜、六水化铁、硫脲为反应原料，以无水化铝和硒粉为掺杂剂，蒸馏水和乙醇为反应溶剂，采用溶剂热方法，在200℃恒温条件下持续反应24小时，之后冷却至室温，离

3、一种禁带宽度可调纳米黄铜矿的合成方法
[简介] 一种用于硅基薄膜太阳池的禁带可调式光子晶体背反射器，由低折射率介质和高折射率介质周期叠构成，通过调整周期厚度，可在500-750nm、650-1100nm、700-1200nm波段分别取得96%、99%、99%的平均反射率，分别适合于用作结

4、用于硅基薄膜太阳池的禁带可调式光子晶体背反射器
[简介] 本技术开了一种禁带宽度可调的碲锌镉薄膜材料的制备方法。该方法基于射频磁控溅射，采用复合结构生长Cd1-xZnxTe复合薄膜。通过调节沉积的Zn膜的厚度，经过快速退火，使Cd、Zn和Te晶粒相互扩散，从而达到增加Cd1-xZnxTe薄膜

5、一种禁带宽度可调的碲锌镉薄膜材料的制备方法
[简介] 本技术布了一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法，所述的硒化物薄膜为非晶态，组成通式为InxSe1-x，03≤x≤06，其作法是对结晶态的In2Se3靶进射频磁控溅射，沉积的薄膜即为所述的硒化物薄膜；调节溅射过程的艺参

6、一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法
[简介] 本技术涉及一种具有可调禁带宽度的Cu-Sn-Zn-S半导体材料及其制备方法，属于无材料制备技术领域。该材料的通式为Cu2Snx3Zn1-xS，其x为金属元素Cu和Sn的摩尔百含量，它通过将二价铜盐、二价锡盐和二价锌盐溶于极性

7、可调禁带宽度的Cu-Sn-Zn-S半导体材料及其制备方法
[简介] 本技术属于微子材料领域，具体开了一种禁带宽度连续可调的高介常数高k薄膜材料及其制备方法。本技术所述的禁带宽度连续可调的高k薄膜材料组成通式为Nb2O5xAl2O31-x，其x为摩尔分数，0＜x＜1，通过控制x的值来调

8、一种禁带宽度连续可调的高介常数薄膜材料及其制备方法
[简介] 本技术开了一种禁带宽度连续可调的多元合金氧化物薄膜材料及制备方法，特征在于所述的薄膜材料的组成为Zn1-x-yBexMgyO，其x、y为摩尔分数，且0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，晶体结构为六方纤锌矿结构。通过调节薄膜材料Be和Mg

9、禁带宽度连续可调的多元合金氧化物薄膜材料及制备方法
[简介] 一种光子禁带可调节及呈现图案化颜色显示的聚合物光子晶体的制备方法，属于高分子材料领域。该方法通过选有较高表面势且尺寸分散的软质核壳结构水凝胶聚合物微球为构筑基元，通过场沉积等方式使其快速形成大面

10、光子禁带可调节及呈现图案化颜色显示的聚合物光子晶体的制备方法
[简介] 本技术属于高分子材料领域，涉及一种光子禁带在紫外-可见-近大范围可调节的聚合物光子晶体的制备方法。该方法首先合成一种尺寸分散的聚合物水凝胶聚合物微球，通过离心沉积等方式获得聚合物光子晶体；通过调节不同注

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