一、设备简介
该设备是一台超高真空多功能磁控溅射镀膜及PECVD（射频增强等离子气相沉积）设备。在PECVD沉积室主要用射频增强等离子气相沉积的方法制备各种薄膜。
本设备的磁控溅射室和PECVD沉积室共用一套真空机组、真空计、流量计、射频电源及温控系统，磁控溅射室和PECVD沉积室可以独立或轮流工作，功能多，性能价格比高。磁控溅射室镀膜时可以采用单靶独立、双靶或三靶组合共溅工作模式，射频直流兼容，溅射方向由下向上，向心溅射。可镀单层膜、多层膜和搀杂膜。
二、设备的主要结构及性能
该设备为双套真空室结构，配置600L/S分子泵机组一套，微机型复合真空计一台，200ml/s质量流量控制器二台，永磁磁控靶共6个，其中3英寸1个、2英寸4个、1.5英寸1个，每个真空室均配有可加热衬底从室温～800℃的自旋转代挡板样品台各一个，配置500W射频电源一套，500W直流电源二套，并在两个真空室分别配置烘烤照明系统各一套。
多功能磁控溅射镀膜设备主体均为优质不锈钢制造，耐腐蚀、抗污染、漏率小;设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，配置了较先进的PLC触摸编程控制电动挡板，为用户做多层膜提供了良好的设备功能保证，且保证了设备各功能的稳定和方便操作。量值准确，性能稳定、可靠；设备布局合理，提高了射频源的利用率和稳定性，减少了对环境的射频干扰；控制面板的设计考虑了美观和适用的结合，使面板操作指示明确，观察舒适、操作方便。
该设备两个磁控溅射室可共同、也可分别进行镀膜实验工作。每个室的3个磁控靶既可同时溅射镀膜，并可以一次装机进行三种不同镀膜材料的溅射，也可分别单靶镀膜实验。该设备的磁控靶（3英寸）既可镀铁磁材料，也可镀各种导体和非导体材料，对靶材的适用面较宽。并配备了离子清洗装置。由于采用大面积的基片架，有效地吸收了衍射，使镀膜材料纯正，膜层均匀,保证镀膜质量。
多功能磁控溅射镀膜设备的基片加热温度、靶头与基片的距离、充入气体的流量、基片架的旋转速度、射频电源的输出功率均实现无级调整；基片与靶头的定位精度可达1mm。设备电控部分的显示均采用ＬＥＤ显示方式，数值准确，直观。
基片的装卡采用插板式，可在机外装卡基片，实现快速更换，减少热能损失和对人体的伤害。
基片加热采用密封管式灯丝加热，加热速度迅速，均匀，热效率高，而且对真空室无污染。
三、主要技术参数:
1、磁控溅射室
极限真空度: 7*10-5Pa
工作真空度：7*10-4Pa
溅射靶位: 3靶位
基片每次装载数量: 1片
基片加热温度: 0～800℃
充气控制回路: 2路
设备总功率: 7.8KW
冷却水用量: 60L/min(单室)
真空室盖提升高度: 315mm
真空室盖提升后旋转角度: ±180O
真空室有效容积: (直径*高)φ450mm*337mm
2、PECVD沉积室
极限真空度: 8*10-5Pa
工作真空度：7*10-4Pa
离子辉光靶1只
基片每次装载数量: 1片
基片加热温度: 0～500℃
充气控制回路: 2路
冷却水用量: 60L/min(单室)
真空室盖提升高度: 315mm
真空室盖提升后旋转角度: ±180O
真空室有效容积: (直径*高)φ350mm*285mm
3、总体结构
设备总功率: 7.8KW
几何尺寸:主机 (长*宽*高) 1850mm*925mm*1550mm
占地面积 (长*宽) 2.8m*1.8m
