产品说明:
采用量子阱结构的DFB激光器,采用高功率DFB芯片,功率可达到60mW,线宽窄200kHZ,内置半导体制冷器,先进的激光焊接工艺实现蝶形尾纤式封装,结构紧凑,体积小,在光纤通信领域得到广泛应用;半导体制冷器高精度温度控制下,激光器功率高稳定、波长高稳定的优势,使得激光器在光纤传感器领域得到广泛应用。
特点:
MQW-DFB 量子阱结构、低阈值电流、高斜率效率、内置半导体制冷器、内置监控探测器、气密性封装、激光焊接工艺、高可靠性、
参数 | 符号 | 参数值 | 单位 |
激光二极管正向电流 | If(LD) | 500 | mA |
激光二极管反向电压 | Vr(LD) | 2 | V |
背光探测器工作电流 | If(PD) | 2 | mA |
背光探测器反向电压 | Vr(PD) | 20 | V |
致冷器工作电流 | ITEC | 2.4 | A |
致冷器工作电压 | VTEC | 2.9 | V |
工作温度 | Topr | -20~+70 | ℃ |
存储温度 | Tstg | -40~+85 | ℃ |
引线焊接温度/时间 | Tsld | 260/10 | ℃/s |
参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
出纤功率 | 40 | | 60 | mW | Iop=350mA |
阈值电流 | | 50 | 80 | mA | CW |
工作电压 | | 1.6 | 3 | V | If
=IOP |
线宽 | | 150 | 200 | khz | CW |
中心波长 | | 1550 | | nm | IOP =350mA |
波长随温度变化漂移系数 | | 0.1 | | nm/℃ | 稳定工作电流 |
波长随电流变化漂移系数 | | 0.012 | | nm/mA | 稳定工作温度 |
背光监视电流 | 0.1 | | 2 | mA | If =IOP |
背光探测器暗电流 | | | 10 | nA | If
=I |
边模抑制比 | 35 | | | dB | |
芯片工作温度 | | 25 | | ℃ | |
热敏电阻 | | 10 | | KΩ | 芯片工作温度25℃ |
四川致远光科技有限责任公司长期提供各种型号激光器,激光光源、光放大器、光探测器、光无源器件,光纤光栅等相关通信产品。批次的不同可能与本图片不一致,请以收到的实物为准。
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