参数	符号	最小	典型	最大	单位
出光功率	PO		10		mW
阀值电流	Ith		12	18	mA
工作电流	Iop		80		mA
工作电压	Vop		1.5	2.0	V
线宽	LW			2	Mhz
中心波长	λc		1512		nm
波长随温度变化漂移系数	Δλ/T		0.1		nm
波长随电流变化漂移系数	Δλ/I		0.01		Nm
背光监视电流	Im	0.1		2	mA
背光探测器暗电流	Id			10	nA
边模抑制比	SMSR	35			dB
芯片工作温度	T		25		℃
热敏电阻@25℃	R		10		KΩ