*** PE-CVD结构特点介绍：
1、PECVD系列真空管式高温烧结炉如图所示,集控制系统与炉膛为一体；
2、炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料，采用进口高温合金电阻丝为加热元件；
3、高纯石英管横穿于炉体中间作为的炉膛，炉管两端用不锈钢法兰密封，工件式样在管中加热，加热元件
与炉管平行，均匀地分布在炉管外，有效的保证了温场的均匀性；
4、测温采用性能稳定，长寿命的“K”型热电偶，以提高控温的精准性；
5、它是专为高等院校﹑科研院所及工矿企业对金属，非金属及其它化和物材料在气氛或真空状态下进行烧
结﹑融化﹑分析而研制的专用设备；
6、MPECVD系列真空管式炉能够快速开启，快速升降温，方便客户对特殊材料的装载，烧制和观察；
7、炉体的控制面板配有触摸屏，控制电源开关，配有电源和保险指示灯，以便随时观察本系统的工作状态。
*** 基本功能介绍：
1、辉光放电：在系统低于100Pa启动射频电源可以实现辉光放电；
2、加热：系统可以设置30段温控程序，彩屏系统预存15条烧培曲线，针对不同的样品，设置不同的预
设曲线，避免重复设置；
3、自动清洗功能：样品放入线圈的区域，配置好参数（PECVD功能配置），系统会自动抽真空，并
通入设置的气体，自动启动辉光放点；
4、自动cvd功能：样品放入线圈的区域，配置好参数（PECVD功能配置），系统会自动抽真空，并通入
设置的气体，自动启动辉光放点；
5、智能能模式：实现自动清洗和cvd功能，样品不需移出，清洗cvd功能一键完成，并能实现多次的循
环操作；
6、通气时间可以设定：通过界面设置通气时间，时间到后，系统自动停止流量计，达到节能环保的目的；
7、恒定真空控制：系统设置一个真空度的数值（见参数“真空设定值”），配合手动阀和真空泵，系统
能实现真空的恒定；
8、系统微正压控制：系统设置一个正压值（见参数“真空设定值”），并配置好相应的气路，配合手动
放气阀，可以实现系统微正压的恒定；
9、系统正压保护功能：当因为误操作或者其他原因，系统压力超过保护值时（见参数“放气阀开启压力”），
系统会自动关闭进气，保护设备；
10、加热炉膛移动的速度可以调节。
该系列PECVD系统具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统，动态衬底温控，全面控制真空系统，采用集中现场控制总线技术的“值守精灵”控制软件，以及友好用户操作界面来操作。适用于室温至1400℃条件下进行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。
*** 主要特点：
Ø 清洗镀膜一气呵成，杜绝二次污染；
Ø 上开启结构，式样观察方便；
Ø 触屏人机对话整体性操作，安全可靠；;
Ø 产品采用全自动控制方式，触摸屏，数字化显示。
Ø 真空系统、工作压强、电源系统及自动匹配、工艺气体流量、加热系统、运动系统、工艺过程、系统监控及数据采集等
