该系列PECVD系统具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统，动态衬底温控，全面控制真空系统，采用集中现场控制总线技术的“值守精灵”控制软件，以及友好用户操作界面来操作。适用于室温至1400℃条件下进行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。