CS8139应用注意事项：
去耦电容（CS）：CS8139是一款高性能D类音频功率放大器。电源端需要加适当的电源供电去耦电容来确保其高效率和谐波失真度。同时为了得到良好的高频瞬态性能，希望电容ESR的值要尽量的小。一般选择典型值为1μF的电容旁路到地。去耦电容在布局上尽可能的靠近CS8139的Vdd脚放置，把去耦电容放在CS8139较近的地方对于提高D类放大器的效率非常重要。因为器件与电容之间的任何电阻或者自感都会导致效率的降压，如果希望更好的滤掉低频噪音，则根据具体需要添加一个10μF的电容或者更大的去耦电容。
电容和磁珠:CS8139在没有任何磁珠跟电容的情况下，对于60cm的音频线仍然能满足FCC的标准要求。在输出音频线过长或者布局本身靠近EMI敏感元件时，建议使用磁珠跟电容。磁珠跟电容建议靠近CS8139。如图所示
CS8139S，兼容NS4159,无破音，AB/D切换，5.0W，单声道音频功率放大器。
CS8139S概要：CS8139S是款高效率，无破音，超低EMI，带AB/D切换，5W单声道D类音频放大器。独特的无音频功能可以通过检测输出的破音失真，自动调整系统增益，不仅有效避免了大功率过载输出对喇叭的损坏，同时带来舒适的听觉感受。CS8139S的优势：极少外围和极高的PSSRR有效的提高了CS8139S对RF噪声的抑制能力。无需滤波器的PWM调制结构以及增益内置方式减少了外部元件，PCB面积和系统成本，而且也简化了设计。D类模式高达90%的效率，快速的启动时间和纤小的封装尺寸使得CS8139S成为便携式音频产品优良选择。
CS8139应用注意事项：
去耦电容（CS）：CS8139是一款高性能D类音频功率放大器。电源端需要加适当的电源供电去耦电容来确保其高效率和谐波失真度。同时为了得到良好的高频瞬态性能，希望电容ESR的值要尽量的小。一般选择典型值为1μF的电容旁路到地。去耦电容在布局上尽可能的靠近CS8139的Vdd脚放置，把去耦电容放在CS8139较近的地方对于提高D类放大器的效率非常重要。因为器件与电容之间的任何电阻或者自感都会导致效率的降压，如果希望更好的滤掉低频噪音，则根据具体需要添加一个10μF的电容或者更大的去耦电容。
电容和磁珠:CS8139在没有任何磁珠跟电容的情况下，对于60cm的音频线仍然能满足FCC的标准要求。在输出音频线过长或者布局本身靠近EMI敏感元件时，建议使用磁珠跟电容。磁珠跟电容建议靠近CS8139。如图所示
