英飞凌FF200R12KE3 IGBT模块集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点。而英飞凌FF200R12KT3 是在英飞凌FF200R12KE3的基础上减小了集射极饱和电压(VCEsat) 和关断损耗(Eo ff)，使其性能有了更进一步的提升。
英飞凌FF200R12KE3 和英飞凌FF200R12KT3都是用途很广泛的IGBT模块，在电梯控制、电热控制、电磁加热、中频炉、变频器、调功、电机控制、电磁阀控制、电容投切、单三相交流无触点开关、数控机械、仪表等行业电子产品中都有涉及。
英飞凌 FF200R12KE3产品基本参数：IGBT 模块 1200V/200A DUAL
英飞凌 FF200R12KE3产品参数
产品种类： | IGBT 模块 |
产品品牌和型号 | 英飞凌FF200R12KE3
英飞凌FF200R12KT3 |
配置： | Dual |
集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
集电极—射极饱和电压： | 1.7 V |
在25 C的连续集电极电流： | 200 A |
栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
功率耗散： | 1.05 kW |
最大工作温度： | + 125 C |
封装 / 箱体： | IS5a ( 62 mm )-7 |
商标： | Infineon Technologies |
栅极/发射极最大电压： | +/- 20 V |
最小工作温度： | - 40 C |
安装风格： | Screw |
工厂包装数量： | 500 |
产品价格和中英文资料 | 联系咨询和索取 |
英飞凌 FF200R12KT3和英飞凌FF200R12KE3的区别
英飞凌 FF200R12KT3可以看做是英飞凌FF200R12KE3产品升级优化，这种优化后的 FF200R12KT3 IGBT模块工作在更高的工作频率。功率损耗减小和电流密度提高扩大了IGBT3模块系列产品的应用范围。
FF200R12KT3 IGBT的关断损耗在额定工作条件下比FF200R12KE3减小了大约17%。 因为IGBT3 - T3在关断过程的软度有所降低，为了更好地利用IGBT3 - T3关于降低关断损耗的优点，需要减小电路中的杂散电感。
