英飞凌FF450R12ME3是英飞凌公司专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品，额定值高达1200V和600A，英飞凌FF450R12ME3能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度，其广泛被用于工业电子产品的众多功率应用中，包括工业驱动与运动控制硬件、太阳能逆变器、不间断电源/开关电源和焊接机械。

 英飞凌FF450R12ME3 IGBT模块具备以下关键优势： 
    • 超低损耗，确保高效率及开关速度。
    • 高耐用性带来了严苛应用环境下的高可靠性。
    • 高短路能力降低了保护需求。
    • 正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力。
    • 快速续流二极管提供紧凑模块封装形式的一体化解决方案 
 英飞凌FF450R12ME3基本参数：IGBT模块 ，N-CH 1.2KV/600A

 英飞凌FF450R12ME3封装尺寸和外形结构

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英飞凌FF450R12ME3 产品参数

产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	英飞凌FF450R12ME3
配置：	Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO：	1200 V
集电极—射极饱和电压：	1.7 V
在25 C的连续集电极电流：	600 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	2100 W
最大工作温度：	+ 125 C
封装 / 箱体：	EconoDUAL-3
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压：	+/- 20 V
最小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
产品价格个中英文PDF资料	联系索取和咨询
工厂包装数量：	12

 英飞凌FF450R12ME3 IGBT模块工作原理   

  英飞凌FF450R12ME3 IGBT模块开通过程
  1.与MOSFET类似的开通过程，也是分为三段的充电时间
  2.只是在漏源DS电压下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间。   
  除了开通时间Ton，上升时间Tr和Tr.i以外，还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i。
  英飞凌FF450R12ME3 IGBT模块关断过程
  IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。
  第一段是按照MOS管关断的特性的
  第二段是在MOSFET关断后，PNP晶体管上存储的电荷难以迅速释放，造成漏极电流较长的尾部时间。
  除了关断时间Toff，下降时间Tf和Tf.i以外，还定义trv为DS端电压的上升时间和关断延迟时间td(off)。
  漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而总的关断时间可以称为toff=td(off)+trv十t(f)，td(off)+trv之和又称为存储时间。
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