氧化扩散炉应用于半导体器件、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池及大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺，可用于2-8英寸工艺尺寸。

■氧化扩散炉控制系统特点

◆ 可保存多条工艺曲线，每条曲线可设置多步

◆ 工艺曲线的自动运行控制功能  

◆ 自动运行中可暂停/继续运行功能

◆ 工艺中可强制跳到下一工艺步运行功能 

◆ 可存储多组PID参数供系统运行调用功能   

◆ PID参数自整定功能

◆ 具有自主知识产权的软件系统，良好的人机界面

◆ 系统故障自诊功能

◆ 工艺气体的程序控制功能

◆ 停电后断点继续运行功能等    

◆ 关键件全部具有高可靠性  

◆ 具有历史记录功能

◆ 具有多种故障报警及各种安全互锁保护功能

◆ 具有多点温度补偿

★ 可根据用户的特殊要求增减或开发相应的功能  

■ 氧化扩散炉主要技术指标

◆ 可配工艺管外径：       2~8英寸     

◆ 可配工艺管数量：       1~4管/台

◆ 恒温区长度及精度：    300～1250mm   800~1300℃±0.5℃   

◆ 工作温度范围：          400～1300℃

◆ 单点温度稳定性：       800～1300℃   ±0.5℃/24h  

◆ 最大可控升温速度：    15℃/min

◆ 最大降温速度：          5℃/min