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氮化铝陶瓷具有优良的导热性(为氧化铝陶瓷的7-10倍),较低的介电常数和介质损耗,可靠的绝缘性能,优良的力学性能,无毒,耐高温,耐化学腐蚀,且与硅的热膨胀系数相近,作为新一代的陶瓷材料,越来越受到人们的关注和重视。我司生产的氮化铝陶瓷,品质领先国内同类产品,具有国际先进水平,广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。
氮化铝陶瓷基片导热性能非常良好,是目前导热领域导热性能最好的材料之一,应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM、光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、叉指电容和螺旋电感等。可根据客户图纸定制任意规格形状,可切割、打孔、划线,激光加工。详情13530640011蒋小姐
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1.表面光洁度经抛光处理后,Ra≤0.1μm;
2.产品各向尺寸精度通过激光划线保证,最小值±0.05mm;
3.特殊规格产品可按客户要求定制生产,任意厚度。
氮化铝陶瓷具有优良的导热性(为氧化铝陶瓷的7-10倍),较低的介电常数和介质损耗,可靠的绝缘性能,优良的力学性能,无毒,耐高温,耐化学腐蚀,且与硅的热膨胀系数相近,作为新一代的陶瓷材料,越来越受到人们的关注和重视。我司生产的氮化铝陶瓷,品质领先国内同类产品,具有国际先进水平,广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。
AlN陶瓷基片主要性能指标 |
性能内容 | 性能指标 |
热导率(W/m·k) | ≥200 |
体积电阻率(Ω·cm) | >1013 |
介电常数[1MHz,25℃] | 9 |
介电损耗[1MHz,25℃] | 3.8х10-4 |
抗电强度(KV/mm) | 17 |
体积密度(g/cm3) | ≥3.30 |
表面粗糙度Ra(μm) | 0.3~0.5 |
热膨胀系数[20℃ to 300℃](10-6/℃) | 4.6 |
抗弯强度(MPa) | 320~330 |
弹性模量(GPa) | 310~320 |
莫氏硬度 | 8 |
吸水率(%) | 0 |
翘曲度(~/25(长度)) | 0.03~0.05 |
熔点 | 2500 |
外观/颜色 | 灰白色
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