专为化合物半导体材料研发量产打造，采用分段梯度控温高真空反应体系，实现高纯镉、碎单质气相化合，稳定产出6N级碎化镉多晶锭。​

核心技术参数

- 温区配置：2–4区独立分段控温

- 工作温度：1300℃

- 极限真空：≤1×10⁻³Pa

- 控温精度：±1℃

- 加热元件：钼丝/硅碳棒双选配

- 适配工艺：CdTe多晶合成、碲锌镉合金制备

应用领域

- 光伏行业：碲化镉薄膜太阳能电池溅射靶材原料

- 探测器件：X/γ射线辐射探测晶体基底

- 光电半导体：红外探测器、外延生长衬底原材料

- 科研院所：半导体新材料气相合成实验研发