设备特点： 
1.研削加工技术：日本机械学会授予冈本标准传送方式及向下研磨方法技术奖。 
2.机械精度的调整方法：通过主轴进行调整（独有专利），因为可进行原点定位，所以精度调整相当容易；可2处调节。 
3.标准驱动方式：齿轴+定位销进行定位，长年使用也不会发生位移。 
4. 标准润滑方式：润滑油及防护罩，防止进入异物造成磨损。 
5.  设备刚性：高刚性，不会因老化造成精度变化，部件由冈本自产铸金一体化生产。 
设备指标： 
1.  晶圆尺寸：        4”、5”、6”、8” 晶圆厚度：        1000μm 
2. 研磨方法        向下进给式研磨        在线测量厚度控制         
3. 操作方法        全自动、半自动、手动   

4. 设备尺寸及重量        尺寸：        1350 (W) x 2370 (D)* x 1845 (H) 
                                重量：        3900 Kg  

 工艺指标       

片内厚度差（TTV）：        ≤1.5μm 

片间厚度差（WTW）        ≤±2μm 
粗糙度（Ry）：        ≤0.13 μm(2000#磨轮) 

注：以8寸Si wafer为例，不带保护膜情况

设备特点： 
1.研削加工技术：日本机械学会授予冈本标准传送方式及向下研磨方法技术奖。 
2.机械精度的调整方法：通过主轴进行调整（独有专利），因为可进行原点定位，所以精度调整相当容易；可2处调节。 
3.标准驱动方式：齿轴+定位销进行定位，长年使用也不会发生位移。 
4. 标准润滑方式：润滑油及防护罩，防止进入异物造成磨损。 
5.  设备刚性：高刚性，不会因老化造成精度变化，部件由冈本自产铸金一体化生产。 
设备指标： 
1.  晶圆尺寸：        4”、5”、6”、8” 晶圆厚度：        1000μm 
2. 研磨方法        向下进给式研磨        在线测量厚度控制         
3. 操作方法        全自动、半自动、手动   

4. 设备尺寸及重量        尺寸：        1350 (W) x 2370 (D)* x 1845 (H) 
                                重量：        3900 Kg  

 工艺指标       

片内厚度差（TTV）：        ≤1.5μm 

片间厚度差（WTW）        ≤±2μm 
粗糙度（Ry）：        ≤0.13 μm(2000#磨轮) 

注：以8寸Si wafer为例，不带保护膜情况            

设备特点： 
1.研削加工技术：日本机械学会授予冈本标准传送方式及向下研磨方法技术奖。 
2.机械精度的调整方法：通过主轴进行调整（独有专利），因为可进行原点定位，所以精度调整相当容易；可2处调节。 
3.标准驱动方式：齿轴+定位销进行定位，长年使用也不会发生位移。 
4. 标准润滑方式：润滑油及防护罩，防止进入异物造成磨损。 
5.  设备刚性：高刚性，不会因老化造成精度变化，部件由冈本自产铸金一体化生产。 
设备指标： 
1.  晶圆尺寸：        4”、5”、6”、8” 晶圆厚度：        1000μm 
2. 研磨方法        向下进给式研磨        在线测量厚度控制         
3. 操作方法        全自动、半自动、手动   

4. 设备尺寸及重量        尺寸：        1350 (W) x 2370 (D)* x 1845 (H) 
                                重量：        3900 Kg  

 工艺指标       

片内厚度差（TTV）：        ≤1.5μm 

片间厚度差（WTW）        ≤±2μm 
粗糙度（Ry）：        ≤0.13 μm(2000#磨轮) 

注：以8寸Si wafer为例，不带保护膜情况            

设备特点： 
1.研削加工技术：日本机械学会授予冈本标准传送方式及向下研磨方法技术奖。 
2.机械精度的调整方法：通过主轴进行调整（独有专利），因为可进行原点定位，所以精度调整相当容易；可2处调节。 
3.标准驱动方式：齿轴+定位销进行定位，长年使用也不会发生位移。 
4. 标准润滑方式：润滑油及防护罩，防止进入异物造成磨损。 
5.  设备刚性：高刚性，不会因老化造成精度变化，部件由冈本自产铸金一体化生产。 
设备指标： 
1.  晶圆尺寸：        4”、5”、6”、8” 晶圆厚度：        1000μm 
2. 研磨方法        向下进给式研磨        在线测量厚度控制         
3. 操作方法        全自动、半自动、手动   

4. 设备尺寸及重量        尺寸：        1350 (W) x 2370 (D)* x 1845 (H) 
                                重量：        3900 Kg  

 工艺指标       

片内厚度差（TTV）：        ≤1.5μm 

片间厚度差（WTW）        ≤±2μm 
粗糙度（Ry）：        ≤0.13 μm(2000#磨轮) 

注：以8寸Si wafer为例，不带保护膜情况