管式加热炉主要类型简介：

         按炉体形状划分，可以分为:箱式炉、立式炉、园筒炉和无焰炉等。

1、箱式炉有斜顶炉和方箱炉，这种炉型历史悠久，是应用较早的炉型。其长、宽、高大致接近，辐射室和对流室用火墙隔开，火嘴装于侧壁，烟囱设于炉外，炉管水平排列。

2、立式炉炉膛为长方形，辐射管排于炉两侧，对流管排在辐射室上部的对流室中，炉底部设有两排火嘴，炉中间砌一堵花墙，喷火嘴在花墙两边燃烧。

3、圆筒炉与立式炉相似，方型的对流室位于辐射室上部，烟

囱安装在对流室的上部，并装有烟道挡板，可调节风量，火嘴在炉底中央，火焰向上喷射。其与立式炉不同的是辐射室为圆筒式，辐射管沿圆周垂直排列成一圈，对流管分立式和水平两种。

4、无焰炉其外型与立式炉相似，炉中间排辐射管，顶部排对流管，两侧炉墙布满火嘴，燃烧的速度快，在燃烧道里完成燃烧的全部过程，因此没有火焰。

分类

CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压CVD(LPCVD)，常压CVD(APCVD)，亚常压CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等离子体增强CVD(PECVD)，高密度等离子体CVD(HDPCVD)以及快热CVD(RTCVD)。然后，还有金属有机物CVD(MOCVD)，根据金属源的自特性来保证它的分类，这些金属的典型状态是液态，在导入容器之前必须先将它气化。不过，容易引起混淆的是，有些人会把MOCVD认为是有机金属CVD(OMCVD)。

过去，对LPCVD和APCVD最常使用的反应室是一个简单的管式炉结构，即使在今天，管式炉也还被广泛地应用于沉积诸如Si3N4 和二氧化硅之类的基础薄膜(氧气中有硅元素存在将会最终形成为高质量的SiO2，但这会大量消耗硅元素；通过硅烷和氧气反应也可能沉积出SiO2 -两种方法均可以在管式炉中进行)。

最近，单片淀积工艺推动并导致产生了新的CVD反应室结构。这些新的结构中绝大多数都使用了等离子体，其中一部分是为了加快反应过程，也有一些系统外加一个按钮，以控制淀积膜的质量。在PECVD和HDPCVD系统中有些方面还特别令人感兴趣是通过调节能量，偏压以及其它参数，可以同时有沉积和蚀刻反应的功能。通过调整淀积：蚀刻比率，有可能得到一个很好的缝隙填充工艺。

方法的优缺点比较

　　各种方法都有其有缺点：从大的方面讲，直接PECVD法对样品表面有损伤，会增加表面少子的复合，但是也正是由于其对表面的轰击作用，可以去除表面的一些自然氧化层，使得表面的杂质原子得到抑制，另外直接法可以使得氢原子或氢离子更深入地进入到多晶硅晶界中，使得晶界钝化更充分。

　　使用不同频率的PECVD系统，也各有一定的优缺点：

　　（1）频率越高均匀面积越小，越难于达到大面积均匀性。

　　（2）频率越低对硅片表面的损伤越严重。

　　（3）频率越低离子进入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的钝化。