提高操作负荷的限制因素的影响有哪些？及其影响？

（1）炉膛体积：操作负荷过大，火焰有可能舔到辐射室炉管或遮蔽管上，危及炉子的安全。

（2）烟气侧阻力：负荷增加，烟气量增加，阻力增加。同时烟气温度升高，抽力增加。当两者的增量处于平衡时，便是烟气侧阻力决定的上限。

（3）管内流速：负荷增加，可以提高介质流速，但介质在管内流速不能过高。

（4）炉膛温度：负荷越大，炉膛温度越高，超负荷运转时辐射室的结构和材料可能产生问题，易损坏支撑件。

产品概述：

RK-1400T-S6010LB3三温区真空气氛管式炉以硅碳棒为发热元件；双层风冷结构；高纯氧化铝纤维真空吸附一次成型；高密度硅碳棒真空挤压成型；刚玉管外径为60、80mm。三个温区分别由三个独立的温控系统来控制且都为PID30段程序化控温。可通过调节三个温区的控温程序使炉管内温场形成一温度梯度，炉管两端装有不锈钢法兰，不锈钢法兰上安装有气嘴、阀门和压力表，抽真空时真空度能够达到10-3 Pa,此系列真空气氛管式炉可以用CVD或PVD方法来生长纳米材料和制作各种薄膜。

主要用途：

RK-1400T-S6010LB3三温区真空气氛管式炉是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品. ，广泛用于电子陶瓷产品的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积（CVD）工艺等。

对许多金属和金属合金一个有趣的争论就是，他们是通过物理气相沉积(PVD)还是通过化学气相沉积(CVD)能得到最.好的沉积效果。尽管CVD比PVD有更好的台阶覆盖特性，但目前诸如铜的子晶层和钽氮扩散层薄膜都是通过PVD来沉积的，因为现有的大量装置都是基于PVD系统的，工程技术人员对PVD方法也有较高的熟练程度。一些人建议，既然台阶覆盖特性越来越重要(尤其是在通孔边墙覆盖)，CVD方法将成为必不可少的技术。相似的争论也存在于产生低k值介质材料方面：是使用CVD方法好还是采用旋涂工艺好？

在化学气相沉积中，决定晶圆间薄膜均匀性的重要参数之一是晶圆间的气体是如何流动的。上图所示是Novellus概念下Three ALTUS系统中，一个晶圆及其基座上的SiH4集中度和钨沉积率的典型路径图。