一、产品简介：
PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应；借助等使含有薄膜组成的气体，在局部形成等离子体，而活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜；具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点；
1200℃高真空PECVD系统通过滑动炉体来实现快速的升降温，配置不同的真空系统来达到理想的真空度；同时通过多路高精度质量流量计控制不同气体。
主要应用于高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
二、主要技术参数：
炉体结构：
整机采用SUS304不锈钢材质，流线型外观，断热式结构；
日本技术真空吸附成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛，保温性能好
炉子底部装有一对滑轨，移动平稳
炉子可以手动从一端滑向另一端，实现快速的加热和冷却
炉盖可开启，可以实时观察加热的物料
炉管：
高纯石英管，高温下化学稳定性强，耐腐蚀，热膨胀系数极小
尺寸：Φ
60*1200mm
法兰及支撑：
SUS304不锈钢快速法兰，通过用高温“O”型圈紧密密封可获得高真空
一个卡箍就能完成法兰的连接，放、取物料方便快捷
可调节的法兰支撑，平衡炉管的受力支撑
包含进气、出气、真空抽口针阀，
KF密封圈及卡箍组合
加热系统：
加热元件采用优质合金丝0Cr27Al7Mo2，表面负荷高、经久耐用
加热区长度：300mm
恒温区长度：150mm
工作温度：≤1150℃
最高温度：1200℃
升温速率：
10℃
/min温控系统：
日本富士温控仪表，64段控温程序，可分步、分段
混气系统：
三路质量流量计：数字显示、气体流量自动控制
内置不锈钢混气箱，每路气体管路均配有逆止阀
管路采用不锈钢管，接口为Φ6卡套
每路气体进气管路配有不锈钢针阀
通过控制面板上的旋钮来调节气体流量
流量规格：0~200sccm
流量精度：±
1.5%高真空真空系统：
采用双级旋片真空泵+分子泵，极限真空可达4.0*10^-4Pa
复合真空计，配置电阻规+电离规
抽速：110L/S
冷却：风冷
电源:AC220V 50/60Hz
射频电源系统：
输出功率:0-300W
功率稳定度：±0.1%
射频电源频率:13.56MHz 稳定性±0.005%
最大反向功率:120W
射频电源电子输出端口:UHF
冷却:风冷
电源
:AC187-253V 50/60Hz
