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硅片直径300mm　要适合多代技术的需求

经济利益的驱动是硅片直径由200mm向300mm转移的主要因素，300mm的出片率是200mm的2.5倍，单位生产成本降低30%左右。300mm工厂投资为15到30亿美元，其中约75%用于设备投资，因此用户要求设备能向下延伸3至4代。300mm片径是从180nm技术节点切入的，这就要求设备在150 nm、130nm，甚至100nm仍可使用。

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所有人都知道英特尔作为全球半导体的领军企业，但新型半导体工艺的实现并不是Intel一家就能做到的，背后默默贡献半导体设备的功臣却往往不为人所知。Arete Research LLC公司的分析师Jagadish Iyer在一份报告中指出，Intel即将最终决定22nm光刻工艺设备的供应商，最终入围的是荷兰ASML Holding NV和日本尼康两家。其实在更早的45nm世代，ASML和尼康也曾双双成为Intel的光刻设备供应商，但在32nm节点上Intel应用了沉浸式光刻技术，只有尼康一家提供相关设备。

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光刻机对准系统编辑制造高精度的对准系统需要具有近乎完美的精密机械工艺，这也是国产光刻机望其项背的技术难点之一，许多美国德国品牌光刻机具有特殊专利的机械工艺设计。例如Mycro N&Q光刻机采用的全气动轴承设计专利技术，有效避免轴承机械摩擦所带来的工艺误差。