光刻机的演变及今后发展趋势

      微电子技术的发展一直是光刻设备和技术变革的动力，21世纪光刻技术将继续居于诸多技术之首。本文通过介绍光刻机的演变和所面临的挑战，揭示下一代光刻设备的发展潜力，通过比较浸没式光刻、极紫外光刻机和电子束曝光机的开发现状和特点，预言将来利用极紫外光刻机、电子束曝光机和光学光刻机的结合，实现产业需要的各种图形的制备。

       晋宇达电子是一家专门从事提供集成电路生产线关键设备 光刻机的销售、安装、翻新、改造、再制造、备件耗材及技术咨询成套解决方案的高新技术企业。

光刻注意事项给出如下：

涂胶

　　涂胶时要注意将基片放在吸盘正中间，且吸盘水平度较高，否则会影响胶模厚度的均匀性；匀胶时一般先低速旋转将胶模铺开，然后高速决定胶模厚度，一般转速在1000～5 000 rpm。

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     光刻机的匹配使用是指同一产品不同的工艺图层可以分别在不同型号或同一型号不同系列的光刻机上进行光刻，而不影响光刻工艺的质量。场镜误差的匹配性最终反映在民机场内套刻误差的差异性上，因为每种透镜均有一个特征畸变图形，其位置误差作为曝光像场位置的一种函数。