传统光刻机的演变和所面临的挑战
光刻机是诸多现代技术高度集成的产物, 这些技术是:物理学,光学,化学,材料科学,精密机械,精密控制,工程学等等。在过往的20几年中,光刻机作为半导体制造业的重要设备,经历了很多次革命。这些变革是伴随着微处理器和DRAM特征尺寸的不断缩减发生的演变。 由于光刻的分辨率与曝光波长、物镜光阑孔径的关系为:分辨率=K1λ/NA所以光刻机的革命主要发生在这样几个方面[2-8]:大NA非球面镜光学系统,短波长光源,分辨率增强技术(降低K1因子),同步扫描工件台等。
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一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography(光刻) 意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
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Nikon系列光刻机中,掩膜版的直角坐标系统、硅片的直角坐标系统、硅片上曝光成像图形的坐标系统以及硅片工作台的直角坐标系统,掩膜版坐标系统的原点是掩膜版的中心,硅片坐标系统的原点是硅片的中心位置,而硅片上曝光成像图形的中心,亦即该坐标系统的原点是掩膜版中心在硅片上投影成像点的位置。