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单晶硅太阳电池：单晶硅太阳电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料，而制造这些材料工艺复杂，电耗很大，在太阳电池生产总成本中己超二分之一，加之拉制的单晶硅棒呈圆柱状，切片制作太阳电池也是圆片，组成太阳能组件平面利用率低。因此，80年代以来，欧美一些国家投入了多晶硅太阳电池的研制。目前太阳电池使用的多晶硅材料，多半是含有大量单晶颗粒的集合体，或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。其工艺过程是选择电阻率为100～300欧姆·厘米的多晶块料或单晶硅头尾料，经破碎，用1：5的氢氟1酸和硝1酸混合液进行适当的腐蚀，然后用去离子水冲洗呈中性，并烘干。
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制备单晶硅的工艺要求非常苛刻，包括设备、温度控制、转速等各种影响因素。因此在前期必须做好设备设计如单晶炉和温控包括炉内的热场、流场，以及缺陷预测。一般来说，前期的设计、优化 和预测 并不能完全依靠高成本的实验来实现。可以通过专业的计算机数值仿1真工具来实现晶体生长数值模拟，如FEMAG的FEMAG/CZ模块[能能对直拉法（Cz法）进行模拟、FEMAG/FZ模块能对区熔法（FZ法）模拟，还有CGSIM等，以达到对单晶硅制备工艺的预测。
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